申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-06-27

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN110648974B

主分类号：H01L21/98(20060101)

分类号：H01L21/98(20060101);H01L25/16(20060101)

优先权：["20180627 US 62/690,760","20190624 US 16/450,725"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.03#公开

摘要：方法包括在衬底上方的第一氧化物层中形成硅波导段，第一氧化物层设置在衬底上，在第一氧化物层上方形成布线结构，该布线结构包括一个或多个绝缘层以及位于一个或多个绝缘层中的一个或多个导电部件，使布线结构的区域凹进，在布线结构的凹进区域中形成氮化物波导段，其中，氮化物波导段在硅波导段上方延伸，在氮化物波导段上方形成第二氧化物层，以及将半导体管芯附接至布线结构，管芯电连接至导电部件。本发明的实施例还涉及光子器件和形成光子器件方法。

主权项：1.一种形成光子器件的方法，包括：在衬底上方的第一氧化物层中形成硅波导段，所述第一氧化物层设置在所述衬底上；在所述第一氧化物层上方形成布线结构，所述布线结构包括一个或多个绝缘层以及位于所述一个或多个绝缘层中的一个或多个导电部件；使所述布线结构的区域凹进；在所述布线结构的凹进区域中形成氮化物波导段，其中，所述氮化物波导段在所述硅波导段上方延伸；在所述氮化物波导段上方形成第二氧化物层；以及将半导体管芯附接至所述布线结构，所述半导体管芯电连接至所述导电部件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 光子器件和形成光子器件方法

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