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【发明授权】一种透射电镜高分辨原位液相加热芯片及其制备方法_厦门超新芯科技有限公司_202010171989.8 

申请/专利权人:厦门超新芯科技有限公司

申请日:2020-03-12

公开(公告)日:2021-04-27

公开(公告)号:CN111312573B

主分类号:H01J37/26(20060101)

分类号:H01J37/26(20060101);H01L21/02(20060101);H05B3/20(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.04.27#授权;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要:本发明公开了一种透射电镜高分辨原位液相加热芯片及其制备方法。结构为上片和下片通过金属键合层组合,自封闭形成一个超薄的腔室;上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片,上片有两个注样口和一个中心视窗;下片有液体出入口、流道、加热层、位于加热层中心处的中心视窗和绝缘层。加热层有四个接触电极及螺旋环形加热丝;加热层中心的加热丝置于硅基片上,以中心视窗为中心,且在大于螺旋环形加热丝外边缘区域内设置悬空的支撑膜;使加热层中心的加热丝区域与其他区域的硅基片通过支撑膜隔离开;液体出入口通过流道连通并关于中心视窗对称布置;中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有分辨率高,液体流向可控,样品漂移率低的优点。

主权项:1.一种透射电镜高分辨原位液相加热芯片,其结构为上片和下片通过金属键合层组合,其中上片和下片均分为正面和背面,上片的正面直接与下片的正面通过金属键合层粘结,自封闭形成一个超薄的腔室;所述上片和下片的材质均为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片,其特征在于,其中上片设置有两个注样口和一个中心视窗1,中心视窗1位于上片中心处,两个注样口关于中心视窗1对称布置;下片设置有液体入口、流道、液体出口、加热层、中心视窗2、绝缘层,所述加热层设置有四个接触电极及螺旋环形加热丝,螺旋环形加热丝形状较为对称,加热丝相互间留有间隙,互不连接,四个接触电极置于芯片的边缘;加热层中心的加热丝置于硅基片上,以中心视窗为中心,且在大于螺旋环形加热丝外边缘区域设置一层氮化硅或氧化硅作为支撑膜,氮化硅或氧化硅支撑膜以下的硅被完全腐蚀,留有氮化硅或氧化硅支撑膜悬空在加热层中心的加热丝区域下的硅基片和该区域以外的硅基片上;加热层中心的加热丝区域的硅基片与除加热层中心的加热丝区域以外的硅基片通过氮化硅或氧化硅支撑膜隔离开;所述液体入口与液体出口关于中心视窗2对称布置,液体入口与液体出口通过流道连通;中心视窗2位于加热层的中心处,且不被加热材料挡住;在加热层上面设置有绝缘层,覆盖除四个接触电极以外的整个加热层区域;所述上片的面积略小于下片的面积,上下片的中心视窗对齐,中心视窗1和中心视窗2上均有多个小孔。

全文数据:

权利要求:

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