申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2018-09-14

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN111354732B

主分类号：H01L27/11529(20170101)

分类号：H01L27/11529(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11531(20170101);H01L27/11548(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11575(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2020.07.24#实质审查的生效;2020.06.30#公开

摘要：公开了三维3D存储器件和形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置于衬底上的外围器件、设置于外围器件上方的外围互连层、设置于外围互连层上方并电连接到外围互连层的第一源极板、设置于第一源极板上的第一存储器堆叠层、竖直延伸通过第一存储器堆叠层并与第一源极板接触的第一存储器串、以及设置于第一存储器串和外围器件上方并电连接到第一存储器串和外围器件的第一位线。

主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的外围器件；设置于所述外围器件上方的外围互连层；设置于所述外围互连层上方的第一存储器阵列器件，其中，所述第一存储器阵列器件包括：设置于所述外围互连层上方并电连接到所述外围互连层的第一源极板；设置于所述第一源极板上的第一存储器堆叠层；以及竖直延伸通过所述第一存储器堆叠层并与所述第一源极板接触的第一存储器串；设置于所述第一存储器串和所述外围器件上方并电连接到所述第一存储器串和所述外围器件的第一位线；以及设置于所述第一位线上方的并且竖直堆叠的n个存储器阵列器件，其中，所述n个存储器阵列器件分别包括相应的源极板，其中，在所述n个存储器阵列器件中的每个存储器阵列器件上方设置有电连接到该存储器阵列器件的存储器串和所述外围器件的相应位线，n为正整数，其中，所述外围器件包括复用器，所述复用器被配置为选择所述n个存储器阵列器件和所述第一存储器阵列器件中的一者的存储器串。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件以及用于形成三维存储器件的方法

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