申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2020-05-21
公开(公告)日:2021-04-27
公开(公告)号:CN111584496B
主分类号:H01L27/11568(20170101)
分类号:H01L27/11568(20170101);H01L27/11582(20170101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.04.27#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.08.25#公开
摘要:本公开实施例公开了一种存储器制作方法及存储器,方法包括:形成贯穿第一堆叠结构的第一通孔和第二通孔;第一堆叠结构包括并列设置的核心区和台阶区,第一通孔贯穿核心区,第二通孔贯穿台阶区,第一通孔顶部开口口径小于第二通孔顶部开口口径;在第一通孔及第二通孔中沉积第一材料,以在第一通孔中形成牺牲柱;利用预设反应物与第二通孔中第一材料发生化学反应,以在第二通孔中形成绝缘的支撑柱;在包括牺牲柱和支撑柱的第一堆叠结构表面形成第二堆叠结构;形成贯穿第二堆叠结构的第三通孔,直至显露牺牲柱;形成贯穿第二堆叠结构的第四通孔,直至显露支撑柱;利用刻蚀剂去除通过第三通孔显露的牺牲柱;刻蚀剂与支撑柱之间的化学反应为惰性反应。
主权项:1.一种存储器制作方法,其特征在于,包括:形成贯穿第一堆叠结构的第一通孔和第二通孔;其中,所述第一堆叠结构包括并列设置的核心区和台阶区,所述第一通孔贯穿所述核心区,所述第二通孔贯穿所述台阶区,所述第一通孔的顶部开口口径小于所述第二通孔的顶部开口口径;在所述第一通孔及所述第二通孔中沉积第一材料,以在所述第一通孔中形成牺牲柱;利用预设反应物与所述第二通孔中第一材料发生化学反应,以在所述第二通孔中形成绝缘的支撑柱;在包括所述牺牲柱和所述支撑柱的所述第一堆叠结构表面形成第二堆叠结构;形成贯穿所述第二堆叠结构的第三通孔,直至显露所述牺牲柱;并形成贯穿所述第二堆叠结构的第四通孔,直至显露所述支撑柱;利用刻蚀剂去除通过所述第三通孔显露的所述牺牲柱;其中,所述刻蚀剂与所述支撑柱之间的化学反应为惰性反应。
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