申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2020-07-23
公开(公告)日:2021-04-27
公开(公告)号:CN111883452B
主分类号:H01L21/66(20060101)
分类号:H01L21/66(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.04.27#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.11.03#公开
摘要:本申请实施例公开一种热处理机台实际工作温度的确定方法,所述方法包括:提供半导体结构,所述半导体结构包括离子注入层;将所述半导体结构放置到热处理机台中进行热处理;所述热处理机台的设定温度为第一温度,所述热处理机台的实际工作温度为第二温度;对热处理后的所述离子注入层进行二次离子质谱SIMS分析,以得到测试SIMS曲线;所述测试SIMS曲线对应于所述第二温度;获取所述第一温度对应的第一参考SIMS曲线;根据所述测试SIMS曲线与所述第一参考SIMS曲线,确定所述热处理机台的实际工作温度与设定温度之间的关系。
主权项:1.一种热处理机台实际工作温度的确定方法,其特征在于,所述方法包括:提供半导体结构,所述半导体结构包括离子注入层;将所述半导体结构放置到热处理机台中进行热处理;所述热处理机台的设定温度为第一温度,所述热处理机台的实际工作温度为第二温度;对热处理后的所述离子注入层进行二次离子质谱SIMS分析,以得到测试SIMS曲线;所述测试SIMS曲线对应于所述第二温度;获取所述第一温度对应的第一参考SIMS曲线;将所述测试SIMS曲线的波峰值与所述第一参考SIMS曲线的波峰值进行比较;所述测试SIMS曲线的波峰值大于所述第一参考SIMS曲线的波峰值,则确定所述热处理机台的实际工作温度低于所述热处理机台的设定温度;所述测试SIMS曲线的波峰值小于所述第一参考SIMS曲线的波峰值,则确定所述热处理机台的实际工作温度高于所述热处理机台的设定温度。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长江存储科技有限责任公司 一种热处理机台实际工作温度的确定方法
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