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【发明授权】存储器件以及其混合间隔物_长江存储科技有限责任公司_201980003437.1 

申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2019-11-22

公开(公告)日:2021-04-27

公开(公告)号:CN111201602B

主分类号:H01L27/11578(20170101)

分类号:H01L27/11578(20170101);H01L27/11568(20170101);H01L27/11563(20170101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.04.27#授权;2020.06.19#实质审查的生效;2020.05.26#公开

摘要:一种半导体器件包括金属层和与金属层相邻布置的间隔物。间隔物包括包含复合介电材料的复合介电层。复合介电材料的成分是第一介电材料的成分和与第一介电材料不同的第二介电材料的成分的混合物。

主权项:1.一种3D存储器件,包括:衬底;布置在所述衬底之上的多个金属介电层,所述金属介电层中的每一者包括金属层和金属间介电层;在相对于所述衬底的水平方向上与所述金属层相邻布置的间隔物,所述间隔物包括包含复合介电材料的复合介电层,并且所述复合介电材料的成分是第一介电材料的成分和与所述第一介电材料不同的第二介电材料的成分的混合物,其中,所述复合介电材料具有比所述第一介电材料和所述第二介电材料更高的致密性。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长江存储科技有限责任公司 存储器件以及其混合间隔物

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