申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-05-25

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN111758159B

主分类号：H01L27/115(20170101)

分类号：H01L27/115(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开

摘要：存储器件包括底部选择栅BSG结构，该BSG结构包括衬底上的垂直地穿过BSG结构的切缝。在BSG结构上形成单元层结构。垂直地穿过单元层结构和BSG结构形成栅线缝隙，进入衬底并沿第一横向方向布置以区分指状区域。第一栅线缝隙在第一和第二指状区域之间，并且包括栅线子缝隙。通过第一切缝将第一指状区域划分为第一串区域和第二串区域，沿第二横向方向在第一指状区域中形成第一切缝，并且进一步沿第一横向方向延伸到至少第二指状区域。由第一切缝限定的至少一个BSG位于至少第二指状区域中，以通过相邻栅线子缝隙之间的中间部分来连接至第一串区域中的单元串。

主权项：1.一种存储器件，包括：衬底上的底部选择栅结构，所述底部选择栅结构包括垂直地穿过所述底部选择栅结构而形成的切缝；在所述底部选择栅结构上形成的单元层结构；以及栅线缝隙，其是垂直地穿过所述单元层结构和所述底部选择栅结构、进入所述衬底而形成的，并且沿第一横向方向布置以区分多个指状区域，其中：所述栅线缝隙包括在所述多个指状区域中的第一指状区域和第二指状区域之间的第一栅线缝隙，所述第一栅线缝隙包括栅线子缝隙，并且所述第一指状区域被所述切缝中的第一切缝划分为第一串区域和第二串区域，其中：所述第一切缝是沿第二横向方向延伸、在所述第一指状区域中形成的，并且所述第一切缝还沿所述第一横向方向延伸到至少所述第二指状区域中，并且由所述第一切缝限定的至少一个底部选择栅位于至少所述第二指状区域中，以通过在所述第一栅线缝隙中的相邻栅线子缝隙之间的中间部分来连接到在所述第一串区域中的单元串。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其形成方法

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