申请/专利权人：中芯长电半导体(江阴)有限公司

申请日：2020-09-15

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN213071121U

主分类号：H01L23/498(20060101)

分类号：H01L23/498(20060101);H01L23/31(20060101);H01L25/16(20060101);H01L21/48(20060101);H01L21/60(20060101);H01L21/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权

摘要：本实用新型提供一种扇出型封装结构，扇出型封装结构包括重新布线层、钝化层、半导体芯片、封装层、凹槽、第一金属凸块、第二金属凸块、转接板、堆叠芯片封装体、被动元件及填充层。本实用新型将多种具有不同功能的芯片整合在一个封装结构中，从而可提高扇出型封装结构的整合性；通过重新布线层、转接板及金属凸块，实现了三维垂直堆叠封装，可有效提高封装结构的集成度，且可有效缩短传导路径，以降低功耗、提高传输速度，增大数据处理量。

主权项：1.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；钝化层，所述钝化层包括相对的第一面及第二面；半导体芯片，位于所述钝化层的第二面及所述重新布线层的第一面之间，且所述半导体芯片的背面与所述钝化层的第二面相键合，所述半导体芯片的正面远离所述钝化层且与所述重新布线层电连接；封装层，位于所述钝化层的第二面及所述重新布线层的第一面之间，覆盖所述钝化层、重新布线层及半导体芯片；凹槽，所述凹槽贯穿所述钝化层及封装层，以显露所述重新布线层中的金属布线层；第一金属凸块，位于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电连接；第二金属凸块，位于所述凹槽中，且与所述重新布线层电连接，所述第二金属凸块凸出于所述钝化层；转接板，位于所述钝化层的第一面上，且与所述第二金属凸块电连接，所述转接板与所述钝化层之间具有缝隙；堆叠芯片封装体及被动元件，位于所述转接板上，且与所述转接板电连接；填充层，位于所述堆叠芯片封装体与所述转接板之间，且填满所述堆叠芯片封装体与所述转接板之间的间隙；还包括覆盖所述转接板、堆叠芯片封装体及被动元件的塑封层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯长电半导体(江阴)有限公司 扇出型封装结构

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