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【实用新型】屏蔽结构和半导体器件_加特兰微电子科技(上海)有限公司_202022383026.2 

申请/专利权人:加特兰微电子科技(上海)有限公司

申请日:2020-10-23

公开(公告)日:2021-04-27

公开(公告)号:CN213071122U

主分类号:H01L23/552(20060101)

分类号:H01L23/552(20060101);H01L23/64(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.04.27#授权

摘要:本实用新型实施例公开了一种屏蔽结构和半导体器件。本实用新型实施例提供的屏蔽结构,用于降低集成电路中电子元件与其他部件之间的电磁感应,所述屏蔽结构包括彼此独立的至少两个分部;其中,各个分部均包括多个等间距分部的金属条;以及至少部分分部所包括金属条之间的形状相异。本实用新型实施例提供的屏蔽结构,能有效的对电子元件进行有效的隔离,减少诸如电子元件中诸如衬底等的损耗,提高电子元件的品质因素Q的效果。

主权项:1.一种屏蔽结构,其特征在于,用于降低集成电路中电子元件与其他部件之间的电磁感应,所述屏蔽结构包括彼此独立的至少两个分部;其中,各个分部均包括多个等间距分布的金属条;以及至少部分分部所包括金属条之间的形状相异。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 加特兰微电子科技(上海)有限公司 屏蔽结构和半导体器件

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