申请/专利权人：成都明夷电子科技有限公司

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN213069627U

主分类号：G05F1/56(20060101)

分类号：G05F1/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权

摘要：本实用新型提出了一种基于缓冲器阻抗衰减的低静态电流LDO电路，通过增设缓冲器和自适应负载电流的动态调节MOS二极管，在缓冲器中采用动态偏置并联反馈以降低其输出电阻，从而在不消耗大的静态电流的情况下，将功率管的栅极极点推到高频。同时，自适应动态调节MOS管的电流变化跟随负载电流的变化，采用电流缓冲补偿，在调节回路单位增益带宽内仅产生单极点，在负载电流的全范围内达到65度以上的相位裕度。并实现了LDO在不使用任何低频零点的情况下的环路稳定；同时在负载瞬变过程中，即使使用一个小的输出电容，最大输出电压也可以最小化。在65纳米SOI工艺中实现了具有阻抗衰减缓冲器的自适应负载动态调节静态电流的LDO。

主权项：1.一种基于缓冲器阻抗衰减的低静态电流LDO电路，包括电源基准源VREF、误差放大器、辅助电路、压差调整功率管M0、分压反馈网络模块，其特征在于，还包括用作缓冲器的源跟随器MOS管以及用于自适应补偿负载电流的补偿MOS二极管；所述电源基准源VREF与误差放大器的负极输入端连接，所述分压反馈网络模块与误差放大器、压差调整功率管M0连接；所述电源基准源VREF、误差放大器、压差调整功率管M0的源极分别与输入电源VIN连接，所述误差放大器、辅助电路、压差调整功率管M0输出端连接共同构成所述低静态电流LDO电路的输出端；所述压差调整功率管M0的栅极与所述误差放大器、辅助电路连接，所述源跟随器MOS管M10设置在压差调整功率管M0的栅极与误差放大器之间；所述补偿MOS管M20设置在源跟随器MOS管M10后与压差调整功率管M0并联，所述补偿MOS管M20的源极连接输入电源VIN，补偿MOS管M20的栅极与压差调整功率管M0的栅极连接后共同与源跟随器MOS管M10的源极连接，所述补偿MOS管M20的漏极也与源跟随器MOS管M10的源极连接。

全文数据：

权利要求：

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