申请/专利权人：昆山晶科微电子材料有限公司

申请日：2019-10-21

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112764329A

主分类号：G03F7/42(20060101)

分类号：G03F7/42(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本发明提供一种含超临界CO2光刻胶去除液，包括超临界CO2、非离子碳氢表面活性剂、有机胺以及有机溶剂，其中超临界CO2的百分含量为1～10wt％，且所述超临界CO2非离子碳氢表面活性剂的质量比为1∶2～1∶5。本发明还提供一种光刻胶的去除方法，即使用该含超临界CO2光刻胶去除液进行光刻胶的去除。本发明提供的所述的含超临界CO2光刻胶去除液对胶体的去除率可达85％以上，且该去除液不含有害物质，对环境无影响，采用含超临界CO2气体气化形成的气液混合态去除胶体直接与光刻胶接触，直接以及快速去除胶体，对衬底无腐蚀性。

主权项：1.一种含超临界CO2光刻胶去除液，其特征在于：包括超临界CO2、非离子碳氢表面活性剂、有机胺以及有机溶剂，其中超临界CO2的百分含量为1～10wt％，且所述超临界CO2非离子碳氢表面活性剂的质量比为1∶2～1∶5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆山晶科微电子材料有限公司 一种超临界CO₂光刻胶去除液及光刻胶的去除方法

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