申请/专利权人:TCL集团股份有限公司
申请日:2019-10-21
公开(公告)日:2021-05-07
公开(公告)号:CN112768537A
主分类号:H01L31/0352(20060101)
分类号:H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.10.31#发明专利申请公布后的驳回;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开
摘要:本发明公开了一种复合材料及其制备方法,其中包括硅纳米线、包覆在所述硅纳米线表面的金属氧化物层,以及包覆在所述金属氧化物层表面的第一硅量子点层。本发明中,所述金属氧化物层可以有效地钝化硅纳米线与第一硅量子点层之间的界面缺陷以及第一硅量子点表面的悬空键,避免电子在界面缺陷处以及第一硅量子点表面进行非辐射复合发生淬灭;此外,由于金属氧化物自身显负电性的性质,可以在金属氧化物周围空间形成局域静电场,阻止注入电子直接被硅纳米线缺陷俘获,同时,吸引正极空穴注入到第一硅量子点层中,从而提高电子与空穴结合的几率,提高所述第一硅量子点层的发光强度,从而提升复合材料的电致发光性能。
主权项:1.一种复合材料,其特征在于,包括硅纳米线、包覆在所述硅纳米线表面的金属氧化物层,以及包覆在所述金属氧化物层表面的第一硅量子点层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: TCL集团股份有限公司 一种复合材料及其制备方法
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