申请/专利权人:有研工程技术研究院有限公司
申请日:2019-11-01
公开(公告)日:2021-05-07
公开(公告)号:CN112760603A
主分类号:C23C14/35(20060101)
分类号:C23C14/35(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/58(20060101);C01G15/00(20060101);G01N27/12(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.07.21#发明专利申请公布后的驳回;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开
摘要:本发明公开了一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法。采用射频掠射角磁控溅射技术,以氧化铟为靶材,将基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角控制在80°~90°,在硅基片表面沉积氧化铟薄膜,之后将试样置于马弗炉中在400~600℃条件下进行热处理。本发明制备的氧化铟气敏薄膜具有多孔柱状结构,能在150℃的较低温度下检测1ppm的二氧化氮气体,克服了传统粉末状气敏材料工作温度较高的缺点,同时本发明用于气体传感器领域可避免传统气敏粉末的二次转移过程,且与微电子工艺兼容、易于实现硅基集成、适用于工业大规模生产。
主权项:1.一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1将硅基片分别置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗15min,之后用氮气吹干;2采用氧化铟靶材,以氩气和氧气作为工作气体,采用射频掠射角磁控溅射在硅基片表面沉积氧化铟薄膜,控制基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角为80°~90°;3将试样置于马弗炉中进行热处理,热处理温度为400~600℃,热处理时间为2~4h。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 有研工程技术研究院有限公司 一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法
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