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【发明公布】磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构_聚昌科技股份有限公司_201911073017.9 

申请/专利权人:聚昌科技股份有限公司

申请日:2019-11-05

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112768333A

主分类号:H01J37/32(20060101)

分类号:H01J37/32(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:本发明提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构,其包括:第一等离子体反应腔体,具有第一反应腔室;第一线圈模块,环绕设置于第一反应腔室的外围;以及第一磁力线遮蔽模块,环绕设置于第一线圈模块的外围。借由本发明的实施,可以阻挡及或反射第一线圈模块的磁力线及或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状,以有效创造更多制造过程参数,以便更精密的生产各类产品。

主权项:1.一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构,其特征在于其包括:第一等离子体反应腔体,其具有第一反应腔室;第一线圈模块,其是环绕设置于该第一反应腔室的外围;以及第一磁力线遮蔽模块,其是环绕设置于该第一线圈模块的外围,用以阻挡及或反射该第一线圈模块的磁力线及或电磁波向外扩散且控制该磁力线的形状。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 聚昌科技股份有限公司 磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构

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