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【发明公布】测试图样产生方法以及失效模型产生方法_瑞昱半导体股份有限公司_201911074917.5 

申请/专利权人:瑞昱半导体股份有限公司

申请日:2019-11-06

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112765928A

主分类号:G06F30/398(20200101)

分类号:G06F30/398(20200101);G01R31/28(20060101);G06F119/02(20200101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:一种测试图样产生方法以及一种失效模型产生方法,该测试图样产生方法用以产生电路测试所用的测试图样,包含:a计算一元件数据库中的多个元件对应不同缺陷的多个信号延迟值;b比较信号延迟值以及一目标电路的信号路径延迟信息来产生一失效模型;以及c根据该失效模型产生至少一测试图样。

主权项:1.一种测试图样产生方法,用以产生电路测试所用的测试图样,包含:步骤a计算一元件数据库中的多个元件对应不同缺陷的多个信号延迟值;步骤b比较所述多个信号延迟值以及一目标电路的信号路径延迟信息来产生一失效模型;以及步骤c根据该失效模型产生至少一测试图样。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 瑞昱半导体股份有限公司 测试图样产生方法以及失效模型产生方法

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