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【发明公布】鳍式场效应晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_201911078163.0 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2019-11-06

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112768408A

主分类号:H01L21/8234(20060101)

分类号:H01L21/8234(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括栅切割区和位于栅切割区两侧的器件区,器件区的半导体衬底上分别具有鳍部;在栅切割区和器件区的半导体衬底上、以及鳍部上形成隔离材料层;在栅切割区的隔离材料层中形成切割槽,切割槽的底部暴露出隔离材料层的材料;在切割槽沿鳍部宽度方向两侧侧壁表面形成牺牲层;之后,在切割槽中形成切割层;之后回刻蚀隔离材料层以形成隔离结构,所述隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁,在回刻蚀隔离材料层的过程中,去除所述牺牲层;在器件区的半导体衬底上形成横跨鳍部的栅极结构,且相邻器件区上的栅极结构被切割层分割。上述的方案,可以降低工艺难度,提高鳍式场效应晶体管性能。

主权项:1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括栅切割区和位于栅切割区两侧的器件区,所述器件区的半导体衬底上分别具有鳍部;在所述栅切割区和器件区的半导体衬底上、以及鳍部上形成隔离材料层;在所述栅切割区的隔离材料层中形成切割槽,所述切割槽的底部暴露出隔离材料层的材料;在所述切割槽沿鳍部宽度方向两侧侧壁表面形成牺牲层;形成所述牺牲层后,在所述切割槽中形成切割层;形成切割层之后,回刻蚀隔离材料层以形成隔离结构,所述隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁,在回刻蚀隔离材料层的过程中,去除所述牺牲层;在器件区的半导体衬底上形成横跨鳍部的栅极结构,且相邻器件区上的栅极结构被切割层分割。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 鳍式场效应晶体管的形成方法

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