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【发明公布】具有渗氮层的成型体的制备方法及其成型体_晟铭电子科技股份有限公司_201911108047.9 

申请/专利权人:晟铭电子科技股份有限公司

申请日:2019-11-13

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112760555A

主分类号:C22C38/02(20060101)

分类号:C22C38/02(20060101);C22C38/04(20060101);C22C38/34(20060101);C22C38/42(20060101);C22C38/48(20060101);C22C38/58(20060101);C22C33/02(20060101);C23C8/26(20060101);B22F1/00(20060101);B22F3/22(20060101);B22F3/10(20060101);B22F3/24(20060101)

优先权:["20191021 TW 108137902"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.02.11#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:本发明提供一种具有渗氮层的成型体的制备方法及其成型体,其包含:将射料粉末与结合剂混炼造粒为射料,且射料粉末包含铁以及占射料粉末为3~5wt%的铜;将射料成型以获得预成型体;将预成型体进行析出硬化工序,以使预成型体内的铜的至少一部份集中于预成型体的表面;以及将经析出硬化工序的预成型体进行低温渗氮工序,以使氮扩散其中而获得表面具有渗氮层的成型体;其中,渗氮层具有膨胀型麻田散铁结构,且其厚度通过调整铜占射料粉末的重量百分比来调整。

主权项:1.一种具有渗氮层的成型体的制备方法,其特征在于,其包含:将射料粉末与结合剂混炼造粒为射料,且所述的射料粉末包含铁以及占所述的射料粉末为3~5wt%的铜;将所述的射料成型以获得预成型体;将所述的预成型体进行析出硬化工序,以使所述的预成型体内的铜的至少一部份集中于所述的预成型体的表面;以及将经所述的析出硬化工序的所述的预成型体进行低温渗氮工序,以使氮扩散其中而获得表面具有渗氮层的成型体;其中,所述的渗氮层具有膨胀型麻田散铁结构,且其厚度通过调整铜占所述的射料粉末的重量百分比来调整。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 晟铭电子科技股份有限公司 具有渗氮层的成型体的制备方法及其成型体

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