申请/专利权人:应用材料公司
申请日:2019-07-18
公开(公告)日:2021-05-07
公开(公告)号:CN112771645A
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101);H01L21/768(20060101);H01L27/11524(20060101);H01L21/67(20060101)
优先权:["20180731 US 62/712,729"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.08.06#实质审查的生效;2021.05.07#公开
摘要:本文描述的实施例涉及制造具有最小化的面内失真IPD和平板印刷覆盖误差的氧化物氮化物ON层堆叠。形成层堆叠ON层的方法包括使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动。对称地施加RF功率以形成SiO2的第一材料层。使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动。对称地施加第二RF功率以形成Si3N4的第二材料层。重复以下步骤直到第一材料层和第二材料层的期望数量构成层堆叠:使第一含硅气体、含氧气体和第一稀释气体流动;对称地施加第一RF功率;使第二含硅气体、含氮气体和第二稀释气体流动;以及对称地施加第二RF功率。
主权项:1.一种形成氧化物氮化物ON层的层堆叠的方法,包括以下步骤:将基板传送到工艺腔室;将固持所述基板的基座加热到沉积温度;使第一含硅气体以第一含硅气体流速流入所述工艺腔室中,使含氧气体以含氧气体流速流入所述工艺腔室中,并且使第一稀释气体以第一稀释气体流速流入所述工艺腔室中;对所述第一含硅气体、所述含氧气体和所述第一稀释气体对称地施加第一射频RF功率,以形成二氧化硅SiO2的第一材料层;使第二含硅气体以第二含硅气体流速流入所述工艺腔室中,使含氮气体以含氮气体流速流入所述工艺腔室中,并且使第二稀释气体以第二稀释气体流速流入所述工艺腔室中;对所述第二含硅气体、所述含氮气体和所述第二稀释气体对称地施加第二RF功率,以形成氮化硅Si3N4的第二材料层;以及重复以下步骤直到所述第一材料层和所述第二材料层的期望数量的材料层对构成层堆叠:使所述第一含硅气体、所述含氧气体和所述第一稀释气体流动;对称地施加所述第一RF功率;使所述第二含硅气体、所述含氮气体和所述第二稀释气体流动;以及对称地施加所述第二RF功率。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 应用材料公司 用于3D NAND的氧化物/氮化物(ON)堆叠覆盖改良
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。