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【发明公布】一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备_晋能光伏技术有限责任公司_202011450582.5 

申请/专利权人:晋能光伏技术有限责任公司

申请日:2020-12-09

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112760621A

主分类号:C23C16/509(20060101)

分类号:C23C16/509(20060101);C23C16/458(20060101);C23C16/24(20060101);H01L31/20(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.12.17#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:本发明公开了一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备,包括:预热腔、工艺腔和冷却腔,并依次相连通,硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜,并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却;所述工艺腔的一个侧面设置有进气口,相对的侧面设置有尾气管路,且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板,所述电极板在竖直方向上平行设置,并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板,相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势;所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔;本发明为单腔多层非晶硅沉积设备,电极板在竖直方向上平行设置,形成多层结构,能够有效减小设备的占地面积,大幅度增加单台设备产能,解决了现有技术中存在的问题。

主权项:1.一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备,包括:预热腔、工艺腔和冷却腔,并依次相连通,其特征在于,硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜,并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却;所述工艺腔的一个侧面设置有进气口,相对的侧面设置有尾气管路,且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板,所述电极板在竖直方向上平行设置,并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板,相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势;所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔;所述硅片放置在相邻的两个所述电极板之间,所述电极板固定或可移动地设置在所述工艺腔内,当所述电极板固定设置时,除最顶端的一片所述电极板之外,每片所述电极板上均设置有一块可移动载板,所述硅片设置于所述可移动载板上,当所述电极板可移动地设置在所述工艺腔内时,所述硅片直接放置在相邻的两个所述电极板上;其中,每两个相邻的所述电极板之间至少包括一片硅片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 晋能光伏技术有限责任公司 一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备

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