申请/专利权人：克里公司

申请日：2019-07-18

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112771664A

主分类号：H01L23/482(20060101)

分类号：H01L23/482(20060101);H01L23/00(20060101);H01L29/06(20060101);H01L23/522(20060101)

优先权：["20180719 US 16/039,703","20181204 US 16/208,940"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。

主权项：1.一种多单元晶体管，包括：半导体结构；多个单位单元晶体管，所述多个单位单元晶体管被并联电连接，每个单位单元晶体管在所述半导体结构中在第一方向上延伸，其中，所述单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开；以及隔离结构，所述隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 克里公司 具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD