申请/专利权人：晶澳太阳能有限公司

申请日：2020-12-25

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112760709A

主分类号：C30B29/06(20060101)

分类号：C30B29/06(20060101);C30B13/00(20060101);C30B15/00(20060101);C30B27/00(20060101);C30B27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.08#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法。该水冷热屏结构包括：水冷热屏本体以及设置于水冷热屏本体内部的气冷装置，其中，气冷装置，用于将惰性气体输送至单晶硅生长区域。该水冷热屏结构能够有效地提升单晶硅生长速度。

主权项：1.一种水冷热屏结构，其特征在于，包括：水冷热屏本体10以及设置于所述水冷热屏本体10内部的气冷装置20，其中，所述气冷装置20，用于将惰性气体输送至单晶硅生长区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶澳太阳能有限公司 一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法

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