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【发明公布】一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法_信利(惠州)智能显示有限公司_202110060598.3 

申请/专利权人:信利(惠州)智能显示有限公司

申请日:2021-01-15

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112768405A

主分类号:H01L21/77(20170101)

分类号:H01L21/77(20170101);H01L27/12(20060101);G02F1/1362(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:本申请涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。提供衬底基板,采用第一道光罩工艺在衬底基板上形成扫描线、栅电极、公共电极金属线;其次,沉积第一绝缘层、半导体层、第二金属层,采用第二道光罩工艺形成硅岛、数据线、源电极、漏电极;再次,沉积第二绝缘层,采用第三道光罩工艺形成过孔层;最后,沉积透明导电层,采用第四道光罩工艺形成像素电极和公共电极。其有益效果在于:本申采用4道工艺可以制成IPS型薄膜晶体管阵列基板;通过减少光罩数,实现工艺流程缩短了,提高了生产效率。

主权项:1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成第一金属层,并采用第一道光罩工艺在所述第一金属层形成栅电极、扫描线和公共电极金属线;在所述衬底基板上形成第一绝缘层、半导体层、第二金属层,并采用第二道光罩工艺在所述半导体层和第二金属层形成硅岛、数据线、源电极和漏电极,其中,所述硅岛设于所述栅电极上方,所述源电极、所述漏电极分别硅岛两端;在所述衬底基板进一步形成第二绝缘层,且采用第三道光罩工艺在所述第二绝缘层上形成过孔,其中,所述过孔设置在所述漏电极上方;在所述衬底基板上进一步形成透明导电层,且采用第四道光罩工艺在所述透明导电层形成像素电极和公共电极,其中,所述像素电极通过所述过孔与漏电极连接,所述公共电极与所述公共电极金属线连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信利(惠州)智能显示有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

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