申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司

申请日：2021-01-26

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112764245A

主分类号：G02F1/035(20060101)

分类号：G02F1/035(20060101);G02F1/03(20060101);C30B31/22(20060101);C30B31/02(20060101);C23C16/56(20060101);C23C14/58(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.05.17#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本申请提供一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：在电光晶体基片工艺面制备掩模；如果掩模与光波导结构相反，则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子，在电光晶体基片内形成波导层；如果掩模与光波导结构相同，则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂轻质量离子，在电光晶体基片内形成波导层，其中，波导层中没有掺杂轻质量离子部分形成光波导，波导层中掺杂轻质量离子部分形成波导包覆层，光波导的折射率大于波导包覆层的折射率，通过在电光晶体基片中掺杂重质量离子或轻质量离子，形成光波导，而不需要通过对电光晶体基片刻蚀来形成光波导，从而能够保证最后得到的电光晶体薄膜层的完整性。

主权项：1.一种电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：准备衬底层和电光晶体基片；在所述电光晶体基片工艺面制备掩模；如果所述掩模与光波导结构相反，则由所述电光晶体基片工艺面向所述电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子，在所述电光晶体基片内形成波导层，其中，所述电光晶体基片中掺杂有所述重质量离子部分形成光波导，所述波导层中没有掺杂所述重质量离子部分形成波导包覆层，所述光波导的折射率大于所述波导包覆层的折射率；如果所述掩模与光波导结构相同，则由所述电光晶体基片工艺面向所述电光晶体基片内目标深度掺杂轻质量离子，在所述电光晶体基片内形成波导层，其中，所述波导层中没有掺杂所述轻质量离子部分形成光波导，所述波导层中掺杂所述轻质量离子部分形成波导包覆层，所述光波导的折射率大于所述波导包覆层的折射率；去除所述掩模；对形成有所述光波导的电光晶体基片表面平坦化处理；利用离子注入法和键合分离法，或者，利用键合法和研磨抛光法，在所述衬底层上形成目标厚度的电光晶体薄膜层，其中，所述光波导嵌入在所述电光晶体薄膜层中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD