申请/专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司

申请日：2021-02-07

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112764309A

主分类号：G03F1/72(20120101)

分类号：G03F1/72(20120101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本发明公开了一种光罩的缺陷去除方法及装置，包括：提供待处理光罩，所述待处理光罩包括透明基底及位于所述透明基底一侧表面的遮光缺陷层；自所述遮光缺陷层背离所述透明基底一侧，采用第一镭射激光对所述遮光缺陷层进行减薄；采用第二镭射激光去除减薄后的所述遮光缺陷层，其中，所述第二镭射激光的激光脉冲能量大于所述第一镭射激光的激光脉冲能量。首先选择低激光脉冲能量的第一镭射激光对遮光缺陷层进行减薄，而后通过高激光脉冲能量的第二镭射激光对减薄后的遮光缺陷层进行彻底去除；进而，采用第二镭射激光去除较薄的遮光缺陷层时能够减少飞溅的程度，改善去除遮光缺陷层时造成的二次缺陷的情况，保证缺陷去除的效率高。

主权项：1.一种光罩的缺陷去除方法，其特征在于，包括：提供待处理光罩，所述待处理光罩包括透明基底及位于所述透明基底一侧表面的遮光缺陷层；自所述遮光缺陷层背离所述透明基底一侧，采用第一镭射激光对所述遮光缺陷层进行减薄；采用第二镭射激光去除减薄后的所述遮光缺陷层，其中，所述第二镭射激光的激光脉冲能量大于所述第一镭射激光的激光脉冲能量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种光罩的缺陷去除方法及装置

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