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【发明授权】晶片的加工方法_株式会社迪思科_201510731531.2 

申请/专利权人:株式会社迪思科

申请日:2015-11-02

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN105575896B

主分类号:H01L21/78(20060101)

分类号:H01L21/78(20060101);H01L21/268(20060101)

优先权:["20141105 JP 2014-225470"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.05.07#授权;2017.11.03#实质审查的生效;2016.05.11#公开

摘要:提供晶片的加工方法。晶片在具有偏离角的单晶基板的正面上被多条分割预定线划分,在由分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件,晶片的加工方法包含:数值孔径设定工序,在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径NA除以单晶基板的折射率N得到的值为0.05~0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径;遮蔽隧道形成工序,将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而沿着分割预定线照射脉冲激光光线,从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成的遮蔽隧道;晶片分割工序,对实施了遮蔽隧道形成工序的晶片施加外力,沿着形成有遮蔽隧道的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。

主权项:1.一种晶片的加工方法,该晶片在具有偏离角的单晶基板的正面上被多条分割预定线划分,在由该多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件,该晶片的加工方法的特征在于,包含如下的工序:数值孔径设定工序,在会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径NA除以具有偏离角的单晶基板的折射率N得到的值为0.05~0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径NA;遮蔽隧道形成工序,将脉冲激光光线的聚光点定位在从单晶基板的背面起的期望的位置而从单晶基板的背面侧沿着分割预定线照射脉冲激光光线,从定位于单晶基板的聚光点起沿着分割预定线形成遮蔽隧道,该遮蔽隧道由细孔和遮蔽该细孔的非晶质构成;以及晶片分割工序,对实施了该遮蔽隧道形成工序的晶片施加外力,沿着形成有遮蔽隧道的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片,该单晶基板是铌酸锂基板、LiTaO3基板和SiC基板中的任意一者。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社迪思科 晶片的加工方法

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