申请/专利权人：京信通信技术(广州)有限公司

申请日：2018-12-29

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN109638460B

主分类号：H01Q1/52(20060101)

分类号：H01Q1/52(20060101);H01Q1/36(20060101);H01Q21/30(20060101);H01Q19/10(20060101);H01Q9/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.07#授权;2019.05.10#实质审查的生效;2019.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元，低频辐射单元包括巴伦固定座、四个半波振子结构及抑制元件。抑制元件的其中一侧面为第一金属面，另一侧面为第二金属面。第一金属面分别贴合在相邻两个辐射臂上，且第一金属面与辐射臂之间绝缘配合。上述的抑制共模谐振的低频辐射单元，设置于多频天线中时，对于超宽频通信频段和高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元的相邻辐射臂相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，能抑制共模谐振，减少低频辐射单元上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元的极化隔离度。

主权项：1.一种抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，包括：巴伦固定座与四个半波振子结构，所述半波振子结构与所述巴伦固定座相连，四个所述半波振子结构绕所述巴伦固定座的中心设置，相邻两个所述半波振子结构的辐射臂之间设有间隙；抑制元件，所述抑制元件的其中一侧面为第一金属面，所述抑制元件的另一侧面为第二金属面，所述第一金属面分别贴合在相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上，且所述第一金属面与所述辐射臂之间绝缘配合，所述第一金属面上印制有信号耦合电路，所述第二金属面上印制有微带线滤波电路，所述抑制元件上设有金属化孔，所述信号耦合电路与所述微带线滤波电路通过所述金属化孔电性连接。

全文数据：多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元技术领域本发明涉及天线通信技术领域，特别是涉及一种多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元。背景技术随着移动通信网络制式的增多，要求基站天线能支持多种通信制式，为了节省站址和天馈资源，能够支持多系统通信的多频天线逐渐成为运营商建网的首选。多频天线对小型化提出了越来越严格的要求，不同频段的辐射单元需要紧密排布才能缩小多频天线的尺寸，但是紧密排布的时候，导致工作在不同频段的辐射单元之间出现很强的电磁场耦合，特别是不同频段的辐射单元耦合寄生的多倍频高次模式直接影响了原来辐射单元工作频段的正常工作，如此会引起不同阵列系统之间强烈的耦合干扰，导致不同阵列系统之间的隔离度变差。发明内容基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种多频天线及抑制共模谐振的低频辐射单元，它能够避免引起不同阵列系统之间强烈的耦合干扰，同时高频通信系统与低频通信系统隔离特性较好。其技术方案如下：一种抑制共模谐振的低频辐射单元，包括：巴伦固定座与四个半波振子结构，所述半波振子结构与所述巴伦固定座相连，四个所述半波振子结构绕所述巴伦固定座的中心设置，相邻两个所述半波振子结构的辐射臂之间设有间隙；抑制元件，所述抑制元件的其中一侧面为第一金属面，所述抑制元件的另一侧面为第二金属面，所述第一金属面分别贴合在相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上，且所述第一金属面与所述辐射臂之间绝缘配合。上述的抑制共模谐振的低频辐射单元，由于相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上设置有抑制元件，当设置于多频天线中时，对于超宽频通信频段和高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元的相邻辐射臂相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，不会再发生共模谐振，同时抑制元件能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元的极化隔离度。在其中一个实施例中，所述第一金属面上涂覆有绝缘层；或者所述第一金属面与所述辐射臂之间设有绝缘薄膜。在其中一个实施例中，所述抑制元件为金属片或两侧面均设有金属层的介质板。在其中一个实施例中，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.25倍。在其中一个实施例中，所述第一金属面上印制有信号耦合电路，所述第二金属面上印制有微带线滤波电路，所述印制元件上设有金属化孔，所述信号耦合电路与所述微带线滤波电路通过所述金属化孔电性连接。在其中一个实施例中，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍。在其中一个实施例中，所述信号耦合电路关于相邻所述辐射臂之间的间隙中心对称设置。在其中一个实施例中，所述信号耦合电路包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置，所述第一导电层与所述第二导电层均设有所述金属化孔，所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔不大于相邻所述辐射臂之间的间隙。在其中一个实施例中，所述抑制元件上设有安装孔，所述抑制元件通过安装件穿过所述安装孔装设在所述辐射臂上。一种多频天线，包括所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，还包括反射板，所述低频辐射单元装设在所述反射板上。在其中一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板上的若干个高频辐射单元，所述低频辐射单元为多个，多个所述低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述高频辐射单元中，其中一个所述高频辐射单元嵌套设置在所述低频辐射单元中，另一个所述高频辐射单元位于相邻两个所述低频辐射单元之间。在其中一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板上的若干个超宽频辐射单元，所述低频辐射单元为多个，多个所述低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述超宽频辐射单元依次间隔设置，所述超宽频辐射单元与所述低频辐射单元相邻设置。在其中一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板上的若干个第一高频辐射单元与若干个超宽频辐射单元；所述低频辐射单元包括多个第一低频辐射单元，多个所述第一低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述第一高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述第一高频辐射单元中，其中一个所述第一高频辐射单元嵌套设置在所述第一低频辐射单元中，另一个所述第一高频辐射单元位于相邻两个所述第一低频辐射单元之间；若干个所述超宽频辐射单元依次间隔设置，所述超宽频辐射单元与所述第一高频辐射单元一一对应设置。在其中一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板上的若干个第二高频辐射单元；所述低频辐射单元包括多个第二低频辐射单元，多个所述第二低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述第二高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述第二高频辐射单元中，其中一个所述第二高频辐射单元嵌套设置在所述第二低频辐射单元中，另一个所述第二高频辐射单元位于相邻两个所述第二低频辐射单元之间。在其中一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板上的第一边界板与第二边界板，所述第一边界板设置在所述第一低频辐射单元与所述超宽频辐射单元之间，所述第二边界板设置在所述第二低频辐射单元与所述超宽频辐射单元之间。附图说明图1为本发明一实施例所述的抑制共模谐振的低频辐射单元未设置抑制元件的结构示意图；图2为本发明一实施例所述的抑制共模谐振的低频辐射单元未设置抑制元件的仰视示意图；图3为本发明一实施例所述的抑制共模谐振的低频辐射单元设置抑制元件的其中一视角结构示意图；图4为本发明一实施例所述的抑制共模谐振的低频辐射单元设置抑制元件的另一视角结构示意图；图5为本发明一实施例所述的抑制元件的结构示意图；图6为本发明另一实施例所述的抑制元件的第一金属面的结构示意图；图7为本发明另一实施例所述的抑制元件的第二金属面的结构示意图；图8为本发明一实施例所述的多频天线的结构示意图；图9为本发明一实施例所述的多频天线的俯视图；图10为本发明一实施例所述的多频天线的侧视图；图11为本发明一实施例所述的多频天线加载如图6及图7所示的抑制元件后的等效电路图；图12为本发明一实施例所述的多频天线加载如图5所示的抑制元件之前与之后的极化隔离度曲线图；图13为本发明一实施例所述的多频天线加载如图6及图7所示的抑制元件后的传输系数dBS21的示意图；图14为本发明一实施例所述的多频天线加载如图6及图7所示的抑制元件之前与之后的极化隔离度曲线图；图15为本发明一实施例所述的多频天线加载抑制元件之前与之后，图1中的低频辐射单元，中间列工作于MB频段辐射单元的1427MHz频点水平面方向图。附图标记：100、低频辐射单元，110、半波振子结构，111、辐射臂，112、间隙，120、抑制元件，121、信号耦合电路，1211、第一导电层，1212、第二导电层，122、微带线滤波电路，123、金属化孔，124、安装孔，130、第一低频辐射单元，140、第二低频辐射单元，200、反射板，300、第一高频辐射单元，400、超宽频辐射单元，500、第二高频辐射单元，600、第一边界板，700、第二边界板。具体实施方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中，需要理解的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反，当元件为称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。一般地，基站天线常用的工作频段为690MHz-960MHZLB1427MHz-2690MHzMB1695MHz-2690MHzHB。可以看到这三个频段明显存在部分的倍频模式重叠部分。当将不同频段辐射单元组合集成设计多频天线时，对辐射单元的非工作模式的寄生高次模不作抑制的话，耦合谐振电磁场能量引起的表面波能量直接影响重叠的正常工作的倍频频段的电路和辐射性能，导致不同频段通信系统之间隔离度差，导致正常的工作模式的辐射单元方向图失真畸变，影响正常频段的辐射效率。辐射单元的工作频段即基本谐振模式是由天线的结构和边界决定。特别地，当基站天线的高频带是低频带两倍时候比如MB频段中的1427MHz-1920MHz、HB频段中的1695MHz-1920MHz和LB频段的713MHz-960MHz，因为波长与频率成反比，此时低频辐射器的偶极子臂约为高频带的两倍波长左右，由于低频辐射器的尺寸满足高频带电磁谐振长度谐振要求此时低频辐射单元上的高频信号属于高次模，工作在LB频段周围的高频MB与HB频段辐射单元辐射出来的高频信号很容易互相耦合。多频天线中，低频辐射单元的尺寸较大，高频辐射单元辐射出的射频信号容易与低频辐射单元产生共模谐振，由于低频辐射单元通常不能对高频射频信号进行抑制，该共模谐振增强了高频信号，并在低频辐射单元上耦合寄生的射频信号发生二次辐射，从而影响了低频辐射单元附近的高频辐射单元阵列工作和辐射性能，例如会导致高频辐射单元的水平面方向图畸形，同时高频通信系统与低频通信系统之间隔离特性变差。在一个实施例中，请参阅图1至图4，一种抑制共模谐振的低频辐射单元100，包括：巴伦固定座、四个半波振子结构110及抑制元件120。所述半波振子结构110与所述巴伦固定座相连，四个所述半波振子结构110绕所述巴伦固定座的中心设置，相邻两个所述半波振子结构110的辐射臂111之间设有间隙112。所述抑制元件120的其中一侧面为第一金属面，所述抑制元件120的另一侧面为第二金属面。所述第一金属面分别贴合在相邻两个所述半波振子结构110的辐射臂111上，且所述第一金属面与所述辐射臂111之间绝缘配合。上述的抑制共模谐振的低频辐射单元100，由于相邻两个所述半波振子结构110的辐射臂111上设置有抑制元件120，当设置于多频天线中时，对于超宽频通信频段和高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元100的相邻辐射臂111相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元100的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，不会再发生共模谐振，同时抑制元件120能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元100上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元100的极化隔离度。可以理解的是，抑制元件120为1个、2个、3个或4个，主要是根据需求进行相应设计。此外，抑制元件120为1个时，可以设置在根据需要设置在其中一对相邻的辐射臂111上；抑制元件120为2个时，可以根据需要将2个抑制元件120对称地或不对称地分别布置在其中两对相邻的辐射臂111上；抑制元件120为3个时，可以根据需要将3个抑制元件120分别布置在其中三对相邻的辐射臂111上；抑制元件120为4个时，四对相邻的辐射臂111均设有抑制元件120。为了实现第一金属面与辐射臂111之间绝缘配合，进一步地，所述第一金属面上涂覆有绝缘层；或者所述第一金属面与所述辐射臂111之间设有绝缘薄膜。具体而言，第一金属面上涂覆绿油，或者第一金属面与辐射臂111之间设置塑料膜，如此便能保证第一金属面与辐射臂111之间绝缘相隔。在一个实施例中，请参阅图5，所述抑制元件120为金属片或两侧面均设有金属层的介质板。具体而言，所述抑制元件120为压铸板、钣金件、PCB板或表面电镀金属层的塑料板。其中，对于采用两面覆铜电路板的抑制元件120，带宽有限，只能耦合通过部分频段的高频信号。图12是一实施例提出的低频辐射单元100加载如图5所示的抑制元件120之前和之后的极化隔离度曲线图。其中，部分频段指的是超宽频频段中的某一段，比如1695MHz-1920MHz为1427MHz-2690MHz频段里的部分频段。在一个实施例中，所述抑制元件120呈矩形状，所述抑制元件120的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件120的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.25倍。其中，高频中心频点波长指的是预设高频通信频段的中心频点所对应的波长。例如，预设的高频通信频段为1427MHz-2690MHz，中心频点相应为2058.5MHz。如此，有利于避免发生共模谐振，同时有利于抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元100上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元100的极化隔离度。进一步地，请参阅图6与图7，所述第一金属面上印制有信号耦合电路121，所述第二金属面上印制有微带线滤波电路122。所述印制元件上设有金属化孔123，所述信号耦合电路121与所述微带线滤波电路122通过所述金属化孔123电性连接。如此，信号耦合电路121能够向相邻的辐射臂111双向地提取与传输射频信号。更进一步地，所述抑制元件120呈矩形状，所述抑制元件120的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件120的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍。更进一步地，所述信号耦合电路121关于相邻所述辐射臂111之间的间隙112中心对称设置。更进一步地，所述信号耦合电路121包括第一导电层1211与第二导电层1212。所述第一导电层1211与所述第二导电层1212间隔设置，所述第一导电层1211与所述第二导电层1212均设有所述金属化孔123。所述第一导电层1211与所述第二导电层1212之间的间隔不大于相邻所述辐射臂111之间的间隙112。具体而言，第一导电层1211与第二导电层1212关于相邻所述辐射臂111之间的间隙112中心对称设置。进一步地，微带线滤波电路122为微带线结构，微带线结构的滤波枝节可以为对称的滤波结构也可以为其它非对称的滤波结构。此外，微带线结构的滤波枝节可以为开路线或者短路线，不限定滤波器的具体实现形式，只要能起到通过高频信号、反射并抑制低频信号的传输的作用即可。请再参阅图14，图14是一实施例如图8所示的多频天线中的低频辐射单元100加载如图6及图7所示的抑制元件120之前和之后的极化隔离度曲线图。可以看到，低频辐射单元100的极化隔离度得到提高，同时非LB频段的MB频段和HB频段的耦合谐振分量得到抑制。此外，相对于如图8所示的多频天线中的低频辐射单元100加载如图5所示的抑制元件120而言，具有更宽的抑制频段，抑制效果更好。在一个实施例中，所述抑制元件120上设有安装孔124，所述抑制元件120通过安装件穿过所述安装孔124装设在所述辐射臂111上。具体而言，安装件为塑料卡扣件，塑料卡扣件穿过安装孔124将抑制元件120固定卡装到辐射臂111上。在一个实施例中，请参阅图8，一种多频天线，包括上述任意一实施例所述的抑制共模谐振的低频辐射单元100，还包括反射板200，所述低频辐射单元100装设在所述反射板200上。上述的多频天线，由于包括所述的抑制共模谐振的低频辐射单元100，技术效果由抑制共模谐振的低频辐射单元100带来，具有与抑制共模谐振的低频辐射单元100相同的技术效果，不进行赘述。在一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板200上的若干个高频辐射单元。所述低频辐射单元100为多个，多个所述低频辐射单元100依次间隔设置。若干个所述高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述高频辐射单元中，其中一个所述高频辐射单元嵌套设置在所述低频辐射单元100中，另一个所述高频辐射单元位于相邻两个所述低频辐射单元100之间。高频辐射单元对应的通信频段具体例如为1695MHz-1920MHz，低频辐射单元100对应的通信频段具体例如为713MHZ～960MHZ。对于高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元100的相邻辐射臂111相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元100的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，高频辐射单元辐射出的射频信号容易与低频辐射单元100不会产生共模谐振。同时抑制元件120能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元100上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元100的极化隔离度。在一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板200上的若干个超宽频辐射单元400。所述低频辐射单元100为多个，多个所述低频辐射单元100依次间隔设置。若干个所述超宽频辐射单元400依次间隔设置，所述超宽频辐射单元400与所述低频辐射单元100相邻设置。超宽频辐射单元400对应的通信频段具体例如为1427MHZ～1920MHZ，低频辐射单元100对应的通信频段具体例如为713MHZ～960MHZ。如此，对于超宽频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元100的相邻辐射臂111相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元100的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，超宽频辐射单元400辐射出的射频信号容易与低频辐射单元100不会产生共模谐振。同时抑制元件120能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元100上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元100的极化隔离度。在一个实施例中，所述的多频天线还包括设置在所述反射板200上的若干个第一高频辐射单元300与若干个超宽频辐射单元400。所述低频辐射单元100包括多个第一低频辐射单元130，多个所述第一低频辐射单元130依次间隔设置。若干个所述第一高频辐射单元300依次间隔设置，相邻两个所述第一高频辐射单元300中，其中一个所述第一高频辐射单元300嵌套设置在所述第一低频辐射单元130中，另一个所述第一高频辐射单元300位于相邻两个所述第一低频辐射单元130之间。若干个所述超宽频辐射单元400依次间隔设置，所述超宽频辐射单元400与所述第一高频辐射单元300一一对应设置。如此，对于超宽频通信频段、高频辐射单元的射频信号来讲，低频辐射单元100的相邻辐射臂111相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元100的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，超宽频辐射单元400、高频辐射单元辐射出的射频信号容易与低频辐射单元100不会产生共模谐振。同时抑制元件120能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元100上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元100的极化隔离度。进一步地，所述的多频天线还包括设置在所述反射板200上的若干个第二高频辐射单元500。所述低频辐射单元100包括多个第二低频辐射单元140。多个所述第二低频辐射单元140依次间隔设置。若干个所述第二高频辐射单元500依次间隔设置，相邻两个所述第二高频辐射单元500中，其中一个所述第二高频辐射单元500嵌套设置在所述第二低频辐射单元140中，另一个所述第二高频辐射单元500位于相邻两个所述第二低频辐射单元140之间。进一步地，所述的多频天线还包括设置在所述反射板200上的第一边界板600与第二边界板700，所述第一边界板600设置在所述第一低频辐射单元130与所述超宽频辐射单元400之间，所述第二边界板700设置在所述第二低频辐射单元140与所述超宽频辐射单元400之间。图13是在图8的多频天线中的低频辐射单元100加载如图6及图7所述的抑制元件120的传输系数dBS21，可以看到滤波器对LB频段具有很好的抑制特性，对MB频段和HB频段有良好的通带特性，可以抑制LB频段振子的相邻不同极化的振子臂之间的电磁耦合，提高极化隔离度。图11是一实施例图8所示的多频天线中的低频辐射单元100加载如图6及图7所示的抑制元件120的等效电路原理图，抑制元件120的信号耦合电路121从相邻的辐射臂111耦合提取射频信号，金属化过孔和微带线滤波电路122可等效为带射频开关的LC滤波电路，其作用为选择并通过MB频段和HB频段的射频信号，抑制LB频段的射频信号。由于相邻两个所述半波振子结构110的辐射臂111上设置有抑制元件120，对于超宽频通信频段和高频通信频段的射频信号来讲，低频辐射单元100的相邻辐射臂111相当于直接等效为全金属封闭，从物理结构上破坏了低频辐射单元100的振子上的高次模寄生耦合谐振分量的半波振子电磁谐振结构。如此，不会再发生共模谐振，同时抑制元件120能够抑制低频频段信号的传输，减少低频辐射单元100上邻近的不同极化振子臂低频信号电磁能量的耦合，提高低频辐射单元100的极化隔离度。请再参阅图14，图14是一实施例如图8所示的多频天线中的低频辐射单元100加载如图6及图7所示的抑制元件120之前和之后的极化隔离度曲线图。可以看到，低频辐射单元100的极化隔离度得到提高，同时非LB频段的MB频段和HB频段的耦合谐振分量得到抑制。图15是一实施例如图8所示的多频天线中的低频辐射单元100加载抑制元件120之前和之后，低频辐射单元100，中间列工作于MB频段辐射单元的1427MHz频点水平面方向图；可以看到加载抑制元件120之前1427MHz频点水平面明显有畸变凹坑，LB辐射单元上的电磁耦合分量发生二次谐振辐射，导致MB频段的1427MHz频点3dB波束宽度失真变窄。加载抑制元件120之后，MB频段辐射单元的1427MHz频点明显恢复正常，共模谐振得到抑制。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

权利要求：1.一种抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，包括：巴伦固定座与四个半波振子结构，所述半波振子结构与所述巴伦固定座相连，四个所述半波振子结构绕所述巴伦固定座的中心设置，相邻两个所述半波振子结构的辐射臂之间设有间隙；抑制元件，所述抑制元件的其中一侧面为第一金属面，所述抑制元件的另一侧面为第二金属面，所述第一金属面分别贴合在相邻两个所述半波振子结构的辐射臂上，且所述第一金属面与所述辐射臂之间绝缘配合。2.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述第一金属面上涂覆有绝缘层；或者所述第一金属面与所述辐射臂之间设有绝缘薄膜。3.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件为金属片或两侧面均设有金属层的介质板。4.根据权利要求3所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.25倍。5.根据权利要求1所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述第一金属面上印制有信号耦合电路，所述第二金属面上印制有微带线滤波电路，所述印制元件上设有金属化孔，所述信号耦合电路与所述微带线滤波电路通过所述金属化孔电性连接。6.根据权利要求5所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件呈矩形状，所述抑制元件的长度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍，所述抑制元件的宽度为高频中心频点波长的0.125倍～0.75倍。7.根据权利要求5所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述信号耦合电路关于相邻所述辐射臂之间的间隙中心对称设置。8.根据权利要求5所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述信号耦合电路包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置，所述第一导电层与所述第二导电层均设有所述金属化孔，所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔不大于相邻所述辐射臂之间的间隙。9.根据权利要求8所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，其特征在于，所述抑制元件上设有安装孔，所述抑制元件通过安装件穿过所述安装孔装设在所述辐射臂上。10.一种多频天线，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的抑制共模谐振的低频辐射单元，还包括反射板，所述低频辐射单元装设在所述反射板上。11.根据权利要求10所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个高频辐射单元，所述低频辐射单元为多个，多个所述低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述高频辐射单元中，其中一个所述高频辐射单元嵌套设置在所述低频辐射单元中，另一个所述高频辐射单元位于相邻两个所述低频辐射单元之间。12.根据权利要求10所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个超宽频辐射单元，所述低频辐射单元为多个，多个所述低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述超宽频辐射单元依次间隔设置，所述超宽频辐射单元与所述低频辐射单元相邻设置。13.根据权利要求10所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个第一高频辐射单元与若干个超宽频辐射单元；所述低频辐射单元包括多个第一低频辐射单元，多个所述第一低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述第一高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述第一高频辐射单元中，其中一个所述第一高频辐射单元嵌套设置在所述第一低频辐射单元中，另一个所述第一高频辐射单元位于相邻两个所述第一低频辐射单元之间；若干个所述超宽频辐射单元依次间隔设置，所述超宽频辐射单元与所述第一高频辐射单元一一对应设置。14.根据权利要求13所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的若干个第二高频辐射单元；所述低频辐射单元包括多个第二低频辐射单元，多个所述第二低频辐射单元依次间隔设置；若干个所述第二高频辐射单元依次间隔设置，相邻两个所述第二高频辐射单元中，其中一个所述第二高频辐射单元嵌套设置在所述第二低频辐射单元中，另一个所述第二高频辐射单元位于相邻两个所述第二低频辐射单元之间。15.根据权利要求14所述的多频天线，其特征在于，还包括设置在所述反射板上的第一边界板与第二边界板，所述第一边界板设置在所述第一低频辐射单元与所述超宽频辐射单元之间，所述第二边界板设置在所述第二低频辐射单元与所述超宽频辐射单元之间。

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