【发明授权】一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法_中国计量大学_201910433678.1 

申请/专利权人:中国计量大学

申请日:2019-05-23

发明/设计人:李灵惠;陈达;秦来顺;黄岳祥;梁俊辉

公开(公告)日:2021-05-07

代理机构:

公开(公告)号:CN110473927B

代理人:

主分类号:H01L31/032(20060101)

地址:310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号

分类号:H01L31/032(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/0392(20060101);H01L31/072(20120101);H01L31/18(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.05.07#授权;2019.12.13#实质审查的生效;2019.11.19#公开

摘要:本发明属于半导体光电技术领域,具体涉及一种氧化亚铜硫氰酸亚铜(Cu2OCuSCN)异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2OCuSCN异质结光电薄膜及其制备方法,其特征在于:通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理,促使CuSCN原位反应生成Cu2O,实现了原位构建Cu2OCuSCN异质结光电薄膜,在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题,大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2OCuSCN异质结光电薄膜及其制备方法,具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。

主权项:1.一种氧化亚铜硫氰酸亚铜异质结光电薄膜的制备方法,其特征在于:通过碱液浸泡处理CuSCN光电薄膜的方式实现原位构建Cu2OCuSCN异质结光电薄膜,具体技术方案如下:1将CuSO4·5H2O、乙二胺四乙酸与KSCN按1:1:0.25~1的摩尔比例依次溶解到去离子水中,搅拌溶解后制备获得前驱体溶液;2将步骤1配制的前驱体溶液转移至配有铂丝对电极、甘汞参比电极和清洗干净的FTO或ITO导电玻璃的三电极体系的电化学反应槽中,利用电化学工作站在导电玻璃表面进行电化学沉积,控制电化学沉积过程中的沉积电位和沉积电量;3将步骤2电化学沉积结束后的导电玻璃取出,用去离子水冲洗3遍,在60℃真空烘箱烘干后,即可获得CuSCN光电薄膜;4将步骤3获得的CuSCN光电薄膜在一定浓度的NaOH强碱溶液中浸泡一段时间,取出后用去离子水冲洗2遍,即可获得原位生长的氧化亚铜硫氰酸亚铜异质结光电薄膜。

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