申请/专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司

申请日：2019-12-24

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN110956923B

主分类号：G09G3/32(20160101)

分类号：G09G3/32(20160101);G01T1/24(20060101);G01T1/161(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.07#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.03#公开

摘要：本发明提供一种低温多晶硅平板探测器像素电路及平板探测方法，包括：依次串联于复位信号与光敏二极管的阴极之间的第一重置开关、传输门，光敏二极管的阳极连接偏置电压；依次串联于电源信号输出端之间的第二重置开关、源极跟随器及选择开关；连接于源极跟随器源极和栅极之间的补偿开关；以及连接于第一重置开关漏极和源极跟随器栅极之间的存储电容；第一重置开关与第一重置开关的控制端连接第一控制信号，传输门与补偿开关的控制端连接第二控制信号；选择开关的控制端连接第三控制信号。本发明对电路中源极跟随器的阈值电压漂移进行内部补偿，减少第一重置开关的关态漏电流，可实现高帧率、高灵敏度、低剂量的动态平板探测。

主权项：1.一种低温多晶硅平板探测器像素电路，其特征在于，所述低温多晶硅平板探测器像素电路至少包括：第一重置开关，存储电容，传输门，光敏二极管，第二重置开关，补偿开关，源极跟随器及选择开关；所述第一重置开关的第一端连接复位信号，控制端连接第一控制信号，第二端连接所述存储电容的第一极板；所述第一重置开关为双栅开关；所述传输门的第一端连接所述存储电容的第一极板，控制端连接第二控制信号，第二端连接所述光敏二极管的阴极，所述光敏二极管的阳极连接偏置电压；所述第二重置开关的第一端连接电源信号，控制端连接所述第一控制信号，第二端连接所述补偿开关的第一端；所述补偿开关的控制端连接所述第二控制信号，第二端连接所述存储电容的第二极板；所述源极跟随器的第一端连接所述第二重置开关的第二端，第二端连接所述选择开关的第一端，控制端连接所述存储电容的第二极板；所述选择开关的控制端连接第三控制信号，第二端输出曝光前后的电流变化值。

全文数据：

权利要求：

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