申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-03-02

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN111403401B

主分类号：H01L27/11568(20170101)

分类号：H01L27/11568(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.07#授权;2020.08.04#实质审查的生效;2020.07.10#公开

摘要：本发明提供一种存储结构及其制备方法，通过先制备沟道结构及沟道局部接触，后自基底侧制备台阶堆叠结构，可有效解决台阶工艺所造成的第一沟道结构与第二沟道结构对准困难的问题及沟道局部接触与第二沟道结构对准困难的问题。进一步的，本发明通过制备伪狭缝结构，将公共源极自基底侧引出，无需进行公共源极局部接触与狭缝结构的电连接，从而可从根本上解决公共源极局部接触与狭缝结构对准困难的问题，降低工艺难度及成本，且由于为伪狭缝结构，因此无需进行导电层的填充，从而可减小狭缝结构占用的面积。

主权项：1.一种存储结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底；于所述基底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的电介质层及牺牲层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔中形成沟道结构；于所述堆叠结构上形成刻蚀停止层；形成沟道局部接触，所述沟道局部接触贯穿所述刻蚀停止层，且与所述沟道结构电连接；在所述堆叠结构上方形成覆盖所述堆叠结构和所述沟道结构的载体晶圆；自所述基底刻蚀所述堆叠结构，以形成台阶堆叠结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD