申请/专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司

申请日：2020-06-29

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN213147419U

主分类号：F27D1/10(20060101)

分类号：F27D1/10(20060101);F27D99/00(20100101);C30B29/36(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.07#授权

摘要：本实用新型涉及半导体生产设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅单晶生长炉的炉室结构。包括炉室本体，炉室本体为由内筒和外筒组成的套筒结构，炉室本体顶端和底端设有上盖和下盖，外筒顶端和底端分别设有上、下支撑法兰，上、下支撑法兰间设有多根支撑柱；上支撑法兰、上压紧法兰和内筒在间隙间压紧挤压密封圈形成三角密封的上寄生室，下支撑法兰、下压紧法兰与内筒通过螺栓相连并在相接处设有密封圈形成三角密封的下寄生室，上寄生室与下寄生室通过连接管道连通形成寄生室，寄生室通过截止阀与设备真空管道连通。本实用新型具有较好的稳定性的同时兼有良好的真空抗压性能，有效的减小设备整体漏率提高真空密封性能，从而提升晶体品质。

主权项：1.一种碳化硅炉炉室结构，其特征在于，包括炉室本体、炉室支撑结构和炉室密封结构；所述炉室本体为由内筒和外筒组成的套筒结构，所述内筒高度大于外筒，炉室支撑结构包括分别设于炉室本体顶端和底端的上盖和下盖，外筒顶端和底端分别设有上支撑法兰和下支撑法兰，上支撑法兰和下支撑法兰间通过多根支撑柱组成笼式支撑结构；所述炉室密封结构包括上压紧法兰和下压紧法兰，上压紧法兰设于所述上盖和上支撑法兰间，且与内筒相连，下压紧法兰设于所述下盖和下支撑法兰间，且与内筒相连；所述内筒、外筒和上下支撑法兰间形成一个夹层，夹层中能通入冷却介质对炉室本体进行温度控制；所述上支撑法兰、上压紧法兰和内筒通过螺栓相连并在间隙间压紧挤压密封圈形成三角密封的上寄生室，所述下支撑法兰、下压紧法兰与内筒通过螺栓相连并在相接处设有密封圈形成三角密封的下寄生室，所述上寄生室与下寄生室通过连接管道连通形成寄生室，所述寄生室通过截止阀与设备真空管道连通，寄生室内气体有效抽出后截止阀关闭形成真空。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江晶盛机电股份有限公司 一种碳化硅炉炉室结构

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