申请/专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司

申请日：2021-03-29

公开（公告）日：2021-04-30

公开（公告）号：CN213093192U

主分类号：H01L23/31(20060101)

分类号：H01L23/31(20060101);H01L23/498(20060101);H01L23/488(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.30#授权

摘要：本实用新型公开了一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有第一再钝化层、第二再钝化层和钝化层。本实用新型的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，可以简化晶圆级封装的工艺流程，通过再布线层连接，可以将芯片上多个芯片压区布局在同一区域，并在连接在同一个UBM层下方，即不需要多层再布线层即可实现相同功能芯片压区的电性互连；且可以优化晶圆级封装的产品结构，多个芯片压区可以通过多个UBM结构的互连导通。

主权项：1.一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个的芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有再钝化层和钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏芯德半导体科技有限公司 一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构

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