买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】SiGe(:B):Ga层的形成_IMEC 非营利协会_202011179473.4 

申请/专利权人:IMEC 非营利协会

申请日:2020-10-29

公开(公告)日:2021-06-08

公开(公告)号:CN112928014A

主分类号:H01L21/02(20060101)

分类号:H01L21/02(20060101);H01L29/161(20060101);H01L29/167(20060101);C23C16/18(20060101);C23C16/22(20060101);C23C16/52(20060101)

优先权:["20191206 EP 19214064.8"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.11.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要:在第一方面,本发明涉及一种形成SiGe:B:Ga层40的方法,该方法包括:a在含C的Ga前体存在下,在基材10上沉积SiGe:B:Ga,从而形成SiGe:B:Ga层40的第一部分20;和b在不存在含C的Ga前体的情况下,在第一部分20上沉积SiGe:B,从而形成SiGe:B:Ga层40的第二部分30。

主权项:1.一种形成Ga掺杂的SiGe层40的方法,所述方法包括:a.在含C的Ga前体存在下,在基材10上沉积Ga掺杂的SiGe,从而形成Ga掺杂的SiGe层40的第一部分;和b.在不存在含C的Ga前体的情况下,在第一部分20上沉积SiGe,从而形成Ga掺杂的SiGe层40的第二部分30;其中,Ga掺杂的SiGe层40的各部分,即在步骤a中沉积的Ga掺杂的SiGe和在步骤b中沉积的SiGe均任选地是B掺杂的。

全文数据:

权利要求:

百度查询: IMEC 非营利协会 SiGe(:B):Ga层的形成

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。