申请/专利权人:IMEC 非营利协会
申请日:2020-10-29
公开(公告)日:2021-06-08
公开(公告)号:CN112928014A
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101);H01L29/161(20060101);H01L29/167(20060101);C23C16/18(20060101);C23C16/22(20060101);C23C16/52(20060101)
优先权:["20191206 EP 19214064.8"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.11.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开
摘要:在第一方面,本发明涉及一种形成SiGe:B:Ga层40的方法,该方法包括:a在含C的Ga前体存在下,在基材10上沉积SiGe:B:Ga,从而形成SiGe:B:Ga层40的第一部分20;和b在不存在含C的Ga前体的情况下,在第一部分20上沉积SiGe:B,从而形成SiGe:B:Ga层40的第二部分30。
主权项:1.一种形成Ga掺杂的SiGe层40的方法,所述方法包括:a.在含C的Ga前体存在下,在基材10上沉积Ga掺杂的SiGe,从而形成Ga掺杂的SiGe层40的第一部分;和b.在不存在含C的Ga前体的情况下,在第一部分20上沉积SiGe,从而形成Ga掺杂的SiGe层40的第二部分30;其中,Ga掺杂的SiGe层40的各部分,即在步骤a中沉积的Ga掺杂的SiGe和在步骤b中沉积的SiGe均任选地是B掺杂的。
全文数据:
权利要求:
百度查询: IMEC 非营利协会 SiGe(:B):Ga层的形成
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