申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-12-02

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112925740A

主分类号：G06F15/78(20060101)

分类号：G06F15/78(20060101)

优先权：["20191205 KR 10-2019-0160408"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.29#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：在包括共用数据总线以传递数据的多个存储器单元的存储器系统中控制裸片上终结ODT的方法中，使得多个存储器单元的ODT电路进入初始状态，在对多个存储器单元当中的写入目标存储器单元的写入操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非写入目标存储器单元ODT电路的电阻值设置为第一电阻值，并且在对多个存储器单元当中的读取目标存储器单元的读取操作期间，将多个存储器单元当中的至少一个非读取目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第二电阻值。

主权项：1.一种在存储器系统中控制裸片上终结ODT的方法，该存储器系统包括共用数据总线以交换数据的多个存储器单元，所述方法包括：使得所述多个存储器单元的ODT电路进入初始状态；在对所述多个存储器单元当中的目标存储器单元的写入操作期间，将所述多个存储器单元当中的非目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第一电阻值；以及在对所述多个存储器单元当中的目标存储器单元的读取操作期间，将所述多个存储器单元当中的非目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第二电阻值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 控制裸片上终结的方法和执行该方法的存储器系统

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