申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2020-04-20

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112930602A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/47(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.06#授权;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：一种氮化镓器件及其驱动电路。其中，该氮化镓器件包括：衬底100；形成在衬底100之上的氮化镓GaN缓冲层200；形成在GaN缓冲层200之上的铝氮化镓AlGaN势垒层300；以及，形成在AlGaN势垒层300之上的源极S、漏极D和栅极；其中，栅极包括形成在AlGaN势垒层300之上的P型掺杂氮化镓P‑GaN盖层400，以及形成在P‑GaN盖层400之上的第一栅极金属M1和第二栅极金属M2，第一栅极金属M1与P‑GaN盖层400之间形成肖特基接触，第二栅极金属M2与P‑GaN盖层400之间形成欧姆接触。氮化镓器件为常闭型器件，有利于驱动电路的设计；并且，氮化镓器件具备由肖特基栅极和欧姆栅极共同构成的混合栅极结构，因此既能够减小导通过程中的栅极漏电，从而降低驱动功耗，又能够在导通时向AlGaN势垒层大量注入空穴，优化动态电阻，从而提高器件可靠性。

主权项：1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的氮化镓GaN缓冲层；形成在所述GaN缓冲层之上的铝氮化镓AlGaN势垒层；以及，形成在所述AlGaN势垒层之上的源极、漏极和栅极；其中，所述栅极包括形成在所述AlGaN势垒层之上的P型掺杂氮化镓P-GaN盖层，以及形成在所述P-GaN盖层之上的第一栅极金属和第二栅极金属，所述第一栅极金属与所述P-GaN盖层之间形成肖特基接触，所述第二栅极金属与所述P-GaN盖层之间形成欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 一种氮化镓器件及其驱动电路

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