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【发明公布】一种ALD加工设备以及加工方法_无锡市邑晶半导体科技有限公司_202110075329.4 

申请/专利权人:无锡市邑晶半导体科技有限公司

申请日:2021-01-20

公开(公告)日:2021-06-08

公开(公告)号:CN112921301A

主分类号:C23C16/455(20060101)

分类号:C23C16/455(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态:2022.11.08#发明专利申请公布后的撤回;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要:本发明涉及一种ALD加工设备以及加工方法。其中的加工设备的反应器包括真空腔室以及反应腔室,反应腔室内置于真空腔室内,反应腔室顶部敞口,反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,真空腔室的侧面上设置有第一料口,升降装置的输出端设置可将反应腔室顶部密封的封盖,抓取装置设置在封盖上,抓取装置用于抓取输送至真空腔室内的基体,送料腔室设置在反应器的外侧,送料腔室设置有第二料口以及第三料口,第二料口和第一料口连通设置,第二料口和第一料口之间设置有可开启的第一密封门,送料腔室上设置有可将第三料口开闭的第二密封门,送料腔室内设置有用于将基体输送至真空腔室内的输送装置。本发明可保证沉积膜的成型质量和一致性。

主权项:1.一种ALD加工设备,其特征在于,所述加工设备包括:反应器,所述反应器包括真空腔室以及反应腔室,所述反应腔室内置于所述真空腔室内,所述反应腔室顶部敞口,所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的中心线相对设置,所述真空腔室的侧面上设置有第一料口;升降装置,所述升降装置设置在所述反应器上,所述升降装置的输出端沿竖向伸缩,所述升降装置的输出端上设置有封盖,所述封盖可操作地将所述反应腔室顶部密封;抓取装置,所述抓取装置设置在所述封盖上,所述抓取装置用于抓取输送至所述真空腔室内的基体;送料腔室,所述送料腔室设置在所述反应器的外侧,所述送料腔室设置有第二料口以及第三料口,所述第二料口和所述第一料口连通设置,所述第二料口和所述第一料口之间设置有可开启的第一密封门,所述送料腔室上设置有可将所述第三料口开闭的第二密封门,所述送料腔室内设置有用于将基体输送至所述真空腔室内的输送装置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡市邑晶半导体科技有限公司 一种ALD加工设备以及加工方法

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