申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
申请日:2021-01-21
公开(公告)日:2021-06-08
公开(公告)号:CN112928059A
主分类号:H01L21/762(20060101)
分类号:H01L21/762(20060101);H01L27/146(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开
摘要:本申请公开了一种浅沟槽隔离的形成方法,涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成垫氧化层和硬掩膜层,硬掩膜层的材料为氮化硅;通过光刻和刻蚀工艺,在衬底中形成沟槽;对衬底进行湿法腐蚀处理,去除沟槽外侧的部分硬掩膜层以及令硬掩膜层的顶角圆滑;形成一层氧化层;去除氧化层,令沟槽外侧的衬底表面露出;再次形成氧化层,沟槽的侧壁和底部被氧化层覆盖,且沟槽的顶角圆滑;形成氮化硅层,氮化硅层覆盖氧化层;利用氧化硅填充沟槽,形成浅沟槽隔离;解决了现有的浅沟槽隔离结构在形成过程中容易出现侧壁薄膜变形缺陷的问题;达到了在降低暗电流对器件性能影响的同时,避免浅沟槽侧壁薄膜出现变形缺陷,提高器件性能的效果。
主权项:1.一种浅沟槽隔离的形成方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底上形成垫氧化层和硬掩膜层,所述硬掩膜层的材料为氮化硅;通过光刻和刻蚀工艺,在所述衬底中形成沟槽;对所述衬底进行湿法腐蚀处理,去除沟槽外侧的部分硬掩膜层以及令所述硬掩膜层的顶角圆滑;形成一层氧化层,所述沟槽的侧壁和底部被所述氧化层覆盖;去除所述氧化层,令所述沟槽外侧的衬底表面露出;再次形成氧化层,所述沟槽的侧壁和底部被所述氧化层覆盖,且所述沟槽的顶角圆滑;形成氮化硅层,所述氮化硅层覆盖所述氧化层;利用氧化硅填充所述沟槽,形成浅沟槽隔离。
全文数据:
权利要求:
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