申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2021-01-21

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112928060A

主分类号：H01L21/762(20060101)

分类号：H01L21/762(20060101);H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.11.11#发明专利申请公布后的撤回;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本申请公开了一种STI的形成方法的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底表面形成衬垫氧化层和衬垫氮化硅层；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成浅沟槽；形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层；沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；对衬底进行CMP处理；通过刻蚀工艺调整氧化硅层，令氧化硅层的顶部不高于浅沟槽的顶部；去除未被氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层；再次沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离；解决了利用湿法腐蚀工艺去除衬底表面多余的氮化硅层，容易导致浅沟槽隔离的顶角出现凹陷缺陷的问题；达到了提升器件性能的效果。

主权项：1.一种STI的形成方法的形成方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底表面依次形成衬垫氧化层和衬垫氮化硅层；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成浅沟槽；依次形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层；沉积氧化硅，令所述浅沟槽被氧化硅完全填充，且所述氧化硅覆盖所述衬底；对衬底进行CMP处理，磨平氧化硅层；通过刻蚀工艺调整氧化硅层，令所述氧化硅层的顶部不高于所述浅沟槽的顶部；去除未被所述氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层；再次沉积氧化硅，令所述浅沟槽被氧化硅完全填充，且所述氧化硅覆盖所述衬底；去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 STI的形成方法

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