申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-01-22

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112921305A

主分类号：C23C16/458(20060101)

分类号：C23C16/458(20060101);C23C16/50(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.01.12#发明专利申请公布后的驳回;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明提供了一种提高薄膜厚度均匀性的方法，包括：提供衬底和薄膜沉积设备；将所述衬底放进所述薄膜沉积设备，在所述衬底上进行薄膜沉积；将衬底在水平方向上进行旋转，并继续在所述薄膜沉积设备继续薄膜沉积，以使得所述衬底的各个部位均受到所述薄膜沉积设备的反应腔室内的不同部位的等离子体冲击。最后可以使得衬底的各个部位受到的等离子体的冲击更加均匀，从而使得衬底上沉积的薄膜的厚度更加均匀。

主权项：1.一种提高薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，包括：提供衬底和薄膜沉积设备；将所述衬底放进所述薄膜沉积设备，在所述衬底上进行薄膜沉积；将衬底在水平方向上进行旋转，并继续在所述薄膜沉积设备继续薄膜沉积，以使得所述衬底的各个部位均受到所述薄膜沉积设备的反应腔室内的不同部位的等离子体冲击。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 提高薄膜厚度均匀性的方法

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