申请/专利权人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司
申请日:2021-02-01
公开(公告)日:2021-06-08
公开(公告)号:CN112928016A
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101);H01L21/324(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.07.04#发明专利申请公布后的驳回;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开
摘要:本发明属于集成电路制造技术领域,尤其涉及晶圆的快速退火工艺。本发明提供的用于晶圆的快速退火工艺,在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。重参杂离子造成晶格损伤,在离子布植接面形成非晶与单晶的界面,通过中低温短时间回火,界面下方的单晶体可作为非晶层再结晶的籽晶而完成固相外延流程,砷造成的晶格损伤会随着结晶大幅修复,同时因为此过程温度不会太高且时间相对较短,因此并不会影响其他轻参杂离子的扩散而造成接面变深。因此,本发明提供的工艺无需额外制程,成本投入,在已有工艺制程中引入新的方案,既能实现对重参杂离子造成的高晶格损坏修复,同时能兼顾保证所有离子高活化率以及形成浅接面。
主权项:1.用于晶圆的新型快速退火工艺,其特征在于,在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。
全文数据:
权利要求:
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