买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】互连结构及其制备方法、半导体结构_长鑫存储技术有限公司_202110149536.X 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2021-02-03

公开(公告)日:2021-06-08

公开(公告)号:CN112928095A

主分类号:H01L23/528(20060101)

分类号:H01L23/528(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.03.15#授权;2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要:本发明提供一种互连结构及其制备方法、半导体结构,涉及半导体技术领域,该互连结构包括基底、设置在基底上的介质层以及绝缘层,所述介质层内间隔设置有多条金属线;相邻的所述金属线之间的所述介质层内设置有凹槽,所述凹槽的槽底暴露所述基底的表面;所述绝缘层具有延伸至所述凹槽内的延伸部,所述延伸部与所述基底之间具有间隙。本发明通过使位于相邻的金属线之间的绝缘层与基底之间具有间隙,即,位于相邻的金属线之间具有空气隙,这样可以利用空气的介电常数小于绝缘层的介电常数,降低相邻的金属线之间的寄生电容的电容值,以减小互连结构的信号延迟,进而提高半导体结构的性能。

主权项:1.一种互连结构,其特征在于,包括:基底;介质层,所述介质层设置在所述基底上,所述介质层内间隔设置有多条金属线,相邻的所述金属线之间的所述介质层内设置有凹槽,所述凹槽的槽底暴露出所述基底的表面;绝缘层,所述绝缘层设置在所述介质层上,所述绝缘层具有延伸至所述凹槽内的延伸部,所述延伸部与所述基底之间具有间隙。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 互连结构及其制备方法、半导体结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。