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【发明授权】半导体光元件_日本电信电话株式会社_201880032645.X 

申请/专利权人:日本电信电话株式会社

申请日:2018-05-15

公开(公告)日:2021-06-08

公开(公告)号:CN110637400B

主分类号:H01S5/042(20060101)

分类号:H01S5/042(20060101)

优先权:["20170515 JP 2017-096548"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.06.08#授权;2020.01.24#实质审查的生效;2019.12.31#公开

摘要:本申请实现一种半导体光元件,该半导体光元件兼顾散热和光限制,高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有:芯层,包括活性区域1,该活性区域1包括化合物半导体;两个包层5、6,注入电流至所述芯层;以及第三包层4,构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大,折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小,带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。

主权项:1.一种半导体光元件,包括:第一芯层,包括活性区域,该活性区域包括化合物半导体;第一包层和第二包层,夹持所述第一芯层,所述第一包层包括p型半导体,所述第二包层包括n型半导体;以及第三包层,设于所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层的下部,所述半导体光元件的特征在于,所述第三包层构成为包含热传导率比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个大,折射率比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个小,带隙比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个大的材料,当将光的动作波长设为λ,将所述第一芯层的平均的折射率设为ncore,将所述第三包层的材料的折射率设为nclad时,所述第一芯层的厚度t满足 的关系。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日本电信电话株式会社 半导体光元件

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