申请/专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)

申请日：2020-11-27

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN213401222U

主分类号：H01L31/0747(20120101)

分类号：H01L31/0747(20120101);H01L31/0352(20060101);H01L31/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.08#授权

摘要：本实用新型提供了一种硅异质结太阳能电池，包括硅衬底层，硅衬底层一面为受光域，另一面为背光域。受光域包括第一本征非晶硅层，第一本征非晶硅层设置在硅衬底层上，第一本征非晶硅层的表面相对于其中心线对称设置有第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层，且第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层的上方分别设有第一电极。第一N型非晶硅图形化层与第二N型非晶硅图形化层的表面积之和小于第一本征非晶硅层的表面积。硅异质结太阳能电池的结构简单、成本低，能够降低入射光的光损失，从而确保光在体区域中的吸收和转换。

主权项：1.一种硅异质结太阳能电池，包括硅衬底层，所述硅衬底层的一侧为受光域，另一侧为背光域，其特征在于：所述受光域包括第一本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层设置在所述硅衬底层上，所述第一本征非晶硅层的表面相对于其中心线对称设置有第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层，且所述第一N型非晶硅图形化层及所述第二N型非晶硅图形化层的上方分别设有第一电极；所述第一N型非晶硅图形化层与所述第二N型非晶硅图形化层的表面积之和小于所述第一本征非晶硅层的表面积。

全文数据：

权利要求：

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