申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-11-30

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN213401205U

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.08#授权

摘要：本公开提供一种半导体器件，该半导体器件在沿沟槽栅结构的方向上，延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的第二接触孔的孔径大于贯穿所述第一层间绝缘层的第一接触孔的孔径，使得位线结构与其两侧的接触孔侧壁之间具有足够的空间形成间隔物的同时，位线具有较大的线宽，降低工艺难度，并减少了器件的缺陷的产生。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述衬底上的沿第一方向的若干间隔设置的有源图案；其中，每个所述有源图案之间通过隔离图案隔离；位于所述衬底上的沿第二方向的若干间隔设置的沟槽栅结构；其中，每个所述沟槽栅结构与至少一个所述有源图案相交；位于所述衬底上方且覆盖所述有源图案和所述沟槽栅结构的第一层间绝缘层；贯穿所述第一层间绝缘层并延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的接触孔；其中，所述接触孔设置于所述有源图案中间位置处，且所述接触孔包括贯穿所述第一层间绝缘层的第一接触孔，以及延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的第二接触孔；所述第二接触孔沿所述第二方向的孔径大于所述第一接触孔沿所述第二方向的孔径；位于所述第一层间绝缘层上方的沿第三方向的若干间隔设置的位线结构；其中，所述位线结构与所述沟槽栅结构垂直相交，每个所述位线结构与至少一个所述有源图案通过对应的所述接触孔连接，所述位线结构沿所述第二方向的线宽小于所述第一接触孔沿所述第二方向的孔径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件

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