申请/专利权人:矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日:2020-08-25
公开(公告)日:2021-06-08
公开(公告)号:CN213401191U
主分类号:H01L23/538(20060101)
分类号:H01L23/538(20060101);H01L23/31(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.06.08#授权
摘要:本实用新型公开了一种封装结构,包括:晶片;至少两个电极焊盘,位于所述晶片的有源面上;第一钝化层,图案化的所述第一钝化层覆盖所述晶片的有源面,并选择性的部分裸露所述电极焊盘;以及相互分离的至少两个电互连结构,位于所述第一钝化层上,并与所述电极焊盘电连接;其中,通过将至少两个所述电互连结构位于所述第一钝化层上的第一部分垫高,以增加相邻的两个所述电互连结构之间的爬电距离。
主权项:1.一种封装结构,其特征在于,包括:晶片;至少两个电极焊盘,位于所述晶片的有源面上;第一钝化层,图案化的所述第一钝化层覆盖所述晶片的有源面,并选择性的部分裸露所述电极焊盘;以及相互分离的至少两个电互连结构,位于所述第一钝化层上,并与所述电极焊盘电连接;其中,通过将至少两个所述电互连结构位于所述第一钝化层上的第一部分垫高,以增加相邻的两个所述电互连结构之间的爬电距离。
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