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【发明公布】MOS器件闪烁噪声模型及提取方法_上海华力微电子有限公司_202110343014.3 

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

申请日:2021-03-30

公开(公告)日:2021-07-09

公开(公告)号:CN113095037A

主分类号:G06F30/398(20200101)

分类号:G06F30/398(20200101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.11.03#授权;2021.07.27#实质审查的生效;2021.07.09#公开

摘要:本发明提供了一种MOS器件闪烁噪声模型及提取方法,提取方法包括:设计不同尺寸的MOS器件结构,并根据各个MOS器件的尺寸将所有MOS器件划分为第一MOS器件和第二MOS器件;测量不同尺寸的MOS器件的闪烁噪声数据;建立基本的闪烁噪声模型;对所述第一MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合;建立引入与器件宽度相关的修正函数的闪烁噪声模型;对所述第二MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合;对所述第二MOS器件的闪烁噪声模型进行验证。本发明在原有噪声模型的基础上,通过引入与MOS器件长度和宽度相关的修正函数,提高了小尺寸MOS器件闪烁噪声模型的拟合精度,使之能更精确地表征不同尺寸下器件的实际噪声特性。

主权项:1.一种MOS器件闪烁噪声模型,其特征在于,所述MOS器件闪烁噪声模型为: LINTNOI=lintnoi0*fw 其中,KB为玻尔兹曼常数,T为温度,q为电子的电荷常量,μeff为有效迁移率,Ids为器件电流,Coxe为栅电容,Leff为有效沟道长度,Weff为有效沟道宽度,Abulk为衬底电荷效应的参数,f为闪烁噪声频率,ef为闪烁噪声频率的指数,NOIA、NOIB及NOIC为闪烁噪声拟合参数,N0为源端的电荷密度,Nl为漏端的电荷密度,N*=KBTCoxe+Cd+CITq2,Cd为耗尽电容,CIT为界面陷阱电容,△Lclm为沟道长度调制参数,LINTNO为与MOS器件长度相关的修正函数,fw为与MOS器件宽度相关的修正函数,Wstd为器件的基准宽度,scale为器件尺寸的缩减因子,W为器件的实际宽度,lintnoi0为与MOS器件长度相关的修正系数,lintnoi-ww为与MOS器件宽度相关的修正系数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力微电子有限公司 MOS器件闪烁噪声模型及提取方法

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