申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2021-04-07

公开（公告）日：2021-07-13

公开（公告）号：CN113114114A

主分类号：H03D7/12(20060101)

分类号：H03D7/12(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.02.03#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.07.30#实质审查的生效;2021.07.13#公开

摘要：本发明公开了一种栅极FET混频器，属于混频器技术领域。本发明的栅极FET混频器包括：双工器、输入匹配、栅极偏置、漏极偏置、输出匹配、射频滤波器和FET管，且双工器通过输出匹配电路与FET管的栅极连接，栅极电源通过输入端射频扼流电路注入FET管栅极，漏极电源通过输出端射频扼流电路注入FET管漏极，使得FET管工作在混频效果最好的状态。混频输出信号通过输出匹配网络完成FET与负载的匹配，并通过射频滤波器滤除输出端的直流信号和杂散信号。由于输入端采用了双工器的结构，使得混频器即使在中频信号频率较高的情况下也与本振有很好的隔离特性。

主权项：1.一种栅极FET混频器，其特征在于，包括双工器、输入匹配、栅极偏置、漏极偏置、输出匹配、射频滤波器和FET管；其中，双工器用于隔离本振输入端口和中频输入端口，以使得本振信号LO和中频信号IF通过双工器输出至输入匹配；所述输入匹配的一端连接双工器，另一端连接FET管的栅极，以完成本振信号和中频信号与FET管之间的阻抗匹配；栅极偏置的一端连接电源Vg，另一端连接FET管的栅极；FET管的源极接地，射频信号从FET管的漏极输出；漏极偏置的一端连接电源Vd，另一端连接FET管的漏极；输出匹配的一端连接FET管的漏极，另一端连接射频滤波器，以完成负载和FET管之间的阻抗匹配；射频滤波器的一端接输出匹配，另一端接负载。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种栅极FET混频器

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