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【发明公布】复合电极及其制备方法、量子点发光二极管_TCL集团股份有限公司_201911390352.1 

申请/专利权人:TCL集团股份有限公司

申请日:2019-12-30

公开(公告)日:2021-07-16

公开(公告)号:CN113130809A

主分类号:H01L51/52(20060101)

分类号:H01L51/52(20060101);H01L51/50(20060101);H01L51/56(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.06.07#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要:本发明提供了一种复合电极,包括:相对设置的第一二氧化锡薄膜和第二二氧化锡薄膜,以及插层设置在所述第一二氧化锡薄膜和所述第二二氧化锡薄膜之间的碳负载碳化钼薄膜,其中,所述碳负载碳化钼薄膜包括碳化钼和用于负载所述碳化钼的碳基质。本发明提供的复合电极,以二氧化锡为表层材料,中间夹层薄膜材料兼具良好的导电性和机械延展性,赋予复合电极较高的载流子迁移率和柔韧性,而且不会产生金属元素的析出,具有较好的化学稳定性。

主权项:1.一种复合电极,其特征在于,包括:相对设置的第一二氧化锡薄膜和第二二氧化锡薄膜,以及插层设置在所述第一二氧化锡薄膜和所述第二二氧化锡薄膜之间的碳负载碳化钼薄膜,其中,所述碳负载碳化钼薄膜包括碳化钼和用于负载所述碳化钼的碳基质。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TCL集团股份有限公司 复合电极及其制备方法、量子点发光二极管

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