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【发明公布】量子点的制备方法_TCL集团股份有限公司_201911423817.9 

申请/专利权人:TCL集团股份有限公司

申请日:2019-12-31

公开(公告)日:2021-07-16

公开(公告)号:CN113122235A

主分类号:C09K11/02(20060101)

分类号:C09K11/02(20060101);C09K11/88(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.12.01#发明专利申请公布后的驳回;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要:本发明提供了一种量子点的制备方法,包括以下步骤:提供量子点晶核、壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体;其中,所述壳层阳离子前驱体包括第一壳层阳离子前驱体和第二壳层阳离子前驱体,和或所述壳层阴离子前驱体包括第一壳层阴离子前驱体和第二壳层阴离子前驱体;在量子点晶核中连续添加壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体形成反应体系,加热反应,在量子点晶核表面生长壳层,制备得到所述量子点。

主权项:1.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供量子点晶核、壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体;其中,所述壳层阳离子前驱体包括第一壳层阳离子前驱体,所述壳层阴离子前驱体包括第一壳层阴离子前驱体;且所述壳层阳离子前驱体还包括第二壳层阳离子前驱体和或所述壳层阴离子前驱体还包括第二壳层阴离子前驱体;在量子点晶核中连续添加壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体形成反应体系,加热反应,在量子点晶核表面生长壳层,制备得到所述量子点,其中,在连续添加所述壳层阳离子前驱体的步骤中,调整所述第一壳层阳离子前驱体和所述第二壳层阳离子前驱体的相对比例,使所述第一壳层阳离子前驱体和所述第二壳层阳离子前驱体的含量比随着反应的进行逐渐降低;和或在连续添加所述壳层阴离子前驱体的步骤中,调整所述第一壳层阴离子前驱体和所述第二壳层阴离子前驱体的相对比例,使所述第一壳层阴离子前驱体和所述第二壳层阴离子前驱体的含量比随着反应的进行逐渐降低。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TCL集团股份有限公司 量子点的制备方法

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