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【发明公布】一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法_北京大学_202010045511.0 

申请/专利权人:北京大学

申请日:2020-01-16

公开(公告)日:2021-07-16

公开(公告)号:CN113122236A

主分类号:C09K11/02(20060101)

分类号:C09K11/02(20060101);C09K11/88(20060101);C01G39/06(20060101);C01G41/00(20060101);C01B21/064(20060101);B82Y30/00(20110101);C01B19/04(20060101);C01B19/00(20060101);C01G11/02(20060101);C01G9/08(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.04.26#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要:本发明提供一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法,属于光信号增强技术领域。该方法包括:1制备二维材料,并测定二维材料的二次谐波光谱或四次谐波光谱;2在二维材料上涂覆量子点薄膜;3选择量子点的双光子吸收波长与激光器的发光波长共振;实现增强二维材料的偶数阶高次谐波的强度。本发明通过QD涂层方法大大提高了二维材料的非线性光学响应。

主权项:1.一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法,其特征在于,包括:1制备二维材料,并测定二维材料的二次谐波光谱或四次谐波光谱;2在二维材料上涂覆量子点薄膜;3选择量子点的双光子吸收波长与激光器的发光波长共振;实现二维材料的偶数阶高次谐波的增强。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京大学 一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法

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