申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2020-01-16

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113129993A

主分类号：G11C29/42(20060101)

分类号：G11C29/42(20060101);G06F11/10(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提供一种内存装置及其数据读取方法。此方法包括：读取内存中的多个存储单元以获得读取数据，其中包括检测各存储单元的阈值电压，并将所检测的阈值电压分别与第一基准电压及第二基准电压比较以决定位值，其中所述第一基准电压与第二基准电压用以区别存储单元的不同状态，且第二基准电压大于第一基准电压；逐步变更读取数据中阈值电压位于第一基准电压与第二基准电压之间的存储单元的位值，以计算变更后读取数据的校正子；以及根据校正子的数值校正读取数据。

主权项：1.一种数据读取方法，适于读取内存的数据，所述方法包括下列步骤：读取所述内存中的多个存储单元以获得读取数据，其中包括检测各所述存储单元的阈值电压，并将所检测的所述阈值电压分别与第一基准电压及第二基准电压比较以决定位值，其中所述第一基准电压与所述第二基准电压用以区别所述存储单元的不同状态，且所述第二基准电压大于所述第一基准电压；逐步变更所述读取数据中所述阈值电压位于所述第一基准电压与所述第二基准电压之间的所述存储单元的位值，以计算变更后读取数据的校正子；以及根据所述校正子的数值校正所述读取数据。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华邦电子股份有限公司 内存装置及其数据读取方法

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